弱电离尘埃等离子体微波衰减理论的实验研究

基于弱电离尘埃等离子体微波衰减理论开展了微波在弱电离尘埃等离子体中传输的实验研究.用矢量网络分析仪记录了4~6 GHz频率的微波在弱电离尘埃等离子中的传输衰减，实验结果与弱电离尘埃等离子体微波衰减理论计算结果较好地吻合，验证了弱电离尘埃等离子体微波衰减理论的可靠性.理论的验证对建立弱电离尘埃等离子体内部参数测量的新方法具有重要意义.     

硫酸根对钙基层状双金属氢氧化物去除SDS的影响

利用铝酸三钙（C3A）水化合成钙基层状双金属氢氧化物（CaAl-LDH-Cl）。通过静态吸附实验考察不同十二烷基硫酸钠（sodium dodecyl sulphate,简称SDS）初始浓度下,CaAl-LDH-Cl在SDS体系、SDS-SO42-共存体系中对SDS的吸附效果,并结合XRD、FTIR、SEM和TG等测试手段探究硫酸根对CaAl-LDH-Cl去除SDS的影响机制。结果表明:SDS-SO42-共存体系中CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附量(4.65mmol·g-1)明显高于SDS体系吸附量(3.42mmol·g-1);两种体系中CaAl-LDH-Cl吸附SDS的行为均符合Langmuir模型,属于单分子层吸附;硫酸根促进CaAl-LDH-Cl去除SDS的机理:（1）CaAl-LDH-Cl自溶解产生的Ca2+与SDS生成Ca-SDS沉淀,以及SO42-通过离子交换作用生成的CaAl-LDH-SO4,均增加了产物的层间距,提高CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附量;（2）SO42-的存在有利于SDS胶束形成,促进了CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附。     

城市雕塑的总平面布局

从城市设计的角度分析了城市雕塑的总平面布局特性以及在设置城市雕塑时应当遵循的原则．     

分形滤波在高精度海洋重力仪数据处理中的应用研究

为有效地消除各种外界干扰噪声对高精度海洋重力仪测量值的影响,提高重力异常测量值的精度,在分析基于分形理论的滤波算法基础上,首次将其应用到高精度海洋重力仪系统数据处理中,并与自适应卡尔曼滤波进行对比分析,以实际信号数据与处理后信号数据的均方差作为衡量两种数据处理方法好坏的依据。理论分析和仿真实验表明:分形滤波方法和自适应卡尔曼滤波都能在一定程度上消除干扰噪声对重力异常信号的影响,但在相同背景条件下,分形滤波的性能优于自适应卡尔曼滤波。     

基于微能源网的物联网管理平台设计

文章以微能源网优化运行系统为研究背景,设计了一种基于数字信号处理器(DSP)的微能源网物联网管理平台。文章简述了监控管理平台以DSP为控制核心的主控模块、数据采集模块、网络通信等硬件设计;详细介绍了软件设计流程和相应控制策略,系统控制策略包括并网和离网;通过软件设计搭建虚拟管理平台LabVIEW,将系统采集数据接入物联网云平台,达到实现远程监控的目标。结果表明,物联网监控管理系统具有良好的实用性,便于系统的管理和故障排查,确保管理平台的稳定运行。     

超声对近壁微气泡溃灭过程的影响*

近壁微气泡溃灭特性的深入研究对靶向给药和基因治疗等技术具有较好的指导作用。该文基于数值模拟技术,采用有限体积法结合流体体积模型对超声作用下的近壁微气泡溃灭特性进行了研究,分析了超声对近壁微气泡溃灭动力学过程的影响。结果表明气泡溃灭最大射流速度与近壁距离无量纲参数在1.1~1.6范围内时成正比,与超声频率在10~60 Hz范围内时成正比,与气泡初始半径在50~100μm范围内时成反比;近壁气泡的二次溃灭最大射流速度大于一次溃灭,二次溃灭的作用更加明显。超声参数对近壁气泡溃灭过程存在较大影响,该研究为超声在医学上的应用提供了依据。     

第二代高温超导带材焊接技术研究

第二代高温超导带材(REBCO)接头技术对拓展带材应用,推进市场化进程有着重要意义。本文阐述了非超导焊接技术和超导焊接技术的焊接原理。总结了焊料焊接法制备的接头电阻受到焊接压力、焊接长度和焊接方式等因素的影响。全面梳理了熔融扩散焊接法制备超导接头所用的吸氧方式和超导层生长焊接法制备超导接头所受到的影响因素。     

基于层次化随机游走算法的静态P/G网分析

将随机游走法和层次法相结合,采用层次化随机游走法对静态P/G网(Power and Ground Networks)进行分析.针对大规模的电路,在通过多层的参数提取和建模得到静态P/G网模型后,运用层次法将P/G网分割,在子网内采用随机游走法,并且在此基础上比较5种加速算法.实验数据表明,改进的双共轭梯度(BCG)随机游走法的计算速度是普通随机游走法的6倍以及是层次法的14倍.新方法有效地节省了计算时间,有益于对P/G网的研究.     

Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress

Owing to the fifll isolation and minimization of the silicon active volume, silicon-on-insulator （SOI） tech- nology has better resistance against transient ionizing effects like single event effects （SEE） or latch up.However, the total ionizing dose （TID） irradiation responses of SOI transistors are more complex than bulk-silicon devices. In addition to the gate and par- asitic field leakage current, which are common to SOI and bulk-silicon devices, irradiation induced charges trapped in the SOI buried oxide （BOX） can also affect SOI device performance. Typically, there is a par- asitic edge transistor in the back-gate of SOI devices paralleled with the main transistor, which is formed by the corner region of the silicon island. Due to the high electric field induced by the back-gate voltage at the corner of the silicon island, the threshold of the parasitic edge transistor is lower than the main transistor, resulting in a sub-threshold hump in the transfer characteristic of the back-gate transistor. Even though the threshold of the parasitic edge tran- sistor is lower than the main transistor, it is still larger than zero, which has no effect on the front- gate of devices. However, the sub-threshold hump in the back-gate is the ＇Achilles heel＇ for total dose responses of deep sub-micron SOI n-type metal-oxide- semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） iso- lated by shallow trench isolation （STI）. As reported in Refs., the threshold of the parasitic edge transis- tor is negative shifted by radiation-induced charges trapped in STI, leading to off-state leakage in the front-gate of devices.     

空气斜槽浓相煤粉输送的实验研究

在一个长7 m的空气斜槽内进行浓相输送煤粉的实验研究.实验结果表明,随着空气表观速度增加,煤粉饱和输送量先增加,随后达到稳定,约为0.25kg/s.槽倾角低于5°时,煤粉不流动.倾角在5°～7°内,煤粉的饱和输送量和最大固气质量比随角度变化不明显,但随倾角增大,处于最大固气比下的工作空气速度范围增大.输送槽高度对煤粉的...