一种可调谐的宽带喇曼波长转换器

为了提高宽带波长转换技术的响应速度，采用高非线性光子晶体光纤，设计了一种受激喇曼散射的可调谐全光宽带波长转换器。基于光纤中喇曼效应，对光子晶体光纤喇曼增益谱采取高斯曲线进行拟合，建立了喇曼波长转换器的理论模型，并进行了仿真分析，讨论了光纤长度对转换效率的影响。结果表明，在符合通信系统的条件下，实现了100nm转换带宽，波段为1487nm~1587nm，Q因子随探测光波长变化与喇曼增益谱走势相同，其波长转换质量最优处在喇曼增益系数最大处。该研究对未来光网络的波长转换器波长分配以及光纤长度的配置研究具有参考意义。     

巯基琥珀酸包被的CdTe量子点的制备及其在细胞标记中的应用

以巯基琥珀酸(MSA)作为稳定剂,在水溶液中合成稳定的CdTe纳米量子点,用紫外-可见荧光分光光度和荧光光谱方法研究了CdTe量子点的发光特性.并将其与鼠抗人AFP抗体连接制备水溶性CdTe-AFP复合物探针,对人肝癌细胞进行标记和成像.结果表明所制备的CdTe-AFP复合物探针对人肝癌细胞成像清晰,在生物医学领域具有重要的应用价值.     

苯乙烯阴离子本体聚合引发剂缔合及其机理的研究

分别以正丁基锂和叔丁基锂为引发剂,采用自制管式流动反应装置,对较高温度下苯乙烯阴离子本体聚合动力学进行了研究.证实了正丁基锂主要以六元缔合结构形式引发聚合,并导致超分子团聚体的形成,从而使进一步的聚合因单体扩散受阻而受到限制,并伴随聚合转化率停滞平台（SCP）的产生.随后由于前期聚合累积的能量,使超分子结构完全解离.聚合温度越高,SCP持续时间越短.结果还表明,在正丁基锂引发剂中,存在一个以六元缔合结构为基础形成的更大的缔合体结构.原子力显微镜照片显示,超分子结构的直径分别为20～30nm和50～60nm.此外,在阴离子聚合过程中活性种的缔合结构只决定于初始引发剂的分子结构,而不同活性种缔合结构对阴离子聚合的链增长存在很大影响,从而解释了采用不同结构的锂系引发剂引发苯乙烯单体聚合时聚合速率存在巨大差异的原因.     

基于古典密码学的密码生成器设计

随着互联网的发展,在用户享受互联网带来的方便、快捷的同时,也经常受到黑客和恶意攻击者的攻击,面临隐私泄露、财产安全的威胁。而其主要原因就是用户的账号和密码泄露或者被破解。如何设置一个容易记忆,而且安全度高的密码,成为现在用户的困扰。密码的记忆和密码强度有一定的冲突,密码强度越高,记忆越困难,密码强度过低,账户安全容易受到威胁。为了解决这个问题,我们设计了一款基于古典密码学的密码生成器。一串毫无规律的密码记忆起来是困难的,但是记忆一个根据账户联想起来的书名、歌曲名是很容易的。系统根据用户输入的六位密钥、doc文件的名字和用户希望得到的密码长度,生成一个密码安全性高,由数字、字母和字符组成的密码,以此来解决用户面临的困扰。     

Fluorine-plasma treated AlGaN/GaN high electronic mobility transistors under off-state overdrive stress

Influences of off-state overdrive stress on the fluorine-plasma treated AlGaN/GaN high-electronic mobility transistors (HEMTs) are experimentally investigated. It is observed that the reverse leakage current between the gate and source decreases after the off-state stress, whereas the current between the gate and drain increases. By analyzing those changes of the reverse currents based on the Frenkel-Poole model, we realize that the ionization of fluorine ions occurs during the off-state stress. Furthermore, threshold voltage degradation is also observed after the off-state stress, but the degradations of AlGaN/GaN HEMTs treated with different F-plasma RF powers are different. By comparing the differences between those devices, we find that the F-ions incorporated in the GaN buffer layer play an important role in averting degradation. Lastly, suggestions to obtain a more stable fluorine-plasma treated AlGaN/GaN HEMT are put forwarded.     

Watt-level,green-pumped optical parametric oscillator based on periodically poled potassium titanyl phosphate with high extraction efficiency

We report a compact, efficient optical parametric oscillator (OPO) based on a periodically poled potassium titanyl phosphate (PPKTP) crystal pumped by a 532 nm laser, which generated 1.51 W of average power at the signal wavelength of 709 nm with the pulse duration of ～ 1.0 ns. The extraction efficiency was up to 59%. To the best of our knowledge, this is the first report on Watt-level green-pumped PPKTP-based singly resonant oscillator OPO (SRO-OPO). The precise build-up time of OPO was determined to be 1.6 ns benefitting from the characteristic of twin-peak pulse profile of pump beam. The spectrum width of the idler was also measured to be 4.2 nm with the central wavelength of 2134 nm at 0.2 nm spectral resolution of optical spectrum analyzer. In addition, the beam quality of M² < 1.9 of generated signal exhibits a good consistency with M² < 1.5 for the pump source.     

新型2-羟乙基苯并[d]异噻唑-3(2H)-酮脂肪酸酯的合成及其抑菌活性

以苯并[d]异噻唑-3(2H)-酮为原料,通过取代与酯化反应合成了9个未见文献报道的了2-{3-氧代苯并[d]异噻唑-2(3H)-基}乙醇脂肪酸酯(4a～4i),其结构经1H NMR,IR和元素分析表征。初步体外抑菌活性测试结果表明,4对六种实验菌均表现出不同程度的抑菌活性,尤其对革兰氏阳性菌,用药量32μg.mL-1时抑菌率在90%以上。     

电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极

本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺.     

无线传感器网络中面向压缩感知定位的动态字典算法

传统的压缩感知定位方法均假设目标准确落在某一预设的固定网格上。当目标偏离该网格,所采用的字典与真实稀疏表示字典之间存在失配,导致这些方法的定位性能大大降低。针对该问题,该文提出一种面向压缩感知定位的动态字典算法。该算法将真实稀疏表示字典建模为一个以网格为参数的动态字典,从而将定位问题转化为联合稀疏重构和参数估计问题。利用一阶泰勒展开对真实稀疏表示字典进行近似,将非凸的参数优化问题松弛为凸优化问题。仿真结果表明,相比于传统的静态字典算法,该文所提出的动态字典算法具有更好的性能。     

HEMT器件质子辐射效应仿真

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响,并观察空位密度随深度的变化规律。在最优AlGaN势垒层厚度条件下,通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件,发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果。