微导通孔工艺用附树脂铜箔

形成微导通孔的方法大致有:使用激光形成,等离子形成和光刻形成等三种。它们各有各的利弊,各公司目前正在进行这些技术的融合。其中最为引入注目的方法就是,采用附树脂的铜箔形成微导通孔。微导通孔工艺用附树脂铜箔是     

贰陆光学在中国--专访贰陆光学(苏州)公司市场部经理柳志伟先生

科学家门捷列夫通过努力探索，于1869年2月编制了第一张元素周期表，为科学的发展做出了卓越贡献。     

百花齐放 神州争春——2008春季国际半导体展会报道集锦

挺过了艰难的2007,半导体厂商在满怀期望中迎来了2008,希望煦暖的春风可以驱散产业弥漫的寒意.特别是在中国市场,在2007年风景独好之后,北京奥运会的契机无疑加重了中国市场在全球的位置.近日,众多半导体厂商开始针对中国市场的宣传展示攻势,请跟随记者的笔端,从多个侧面去了解半导体市场的新动向.     

燃煤烟气中As、Se、Pb的形态分布及S、Cl元素对其形态分布的影响

基于化学热力学平衡分析方法，计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律，研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明，氧化性气氛下，As以As₂O₅、As₄O₆、AsO等氧化物的形式存在；Se主要以SeO₂形式存在；Pb在1000 K以下主要是固态PbSO₄，1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下，As在较低温度时为固态As₂S₂，900-1400 K以As₂、AsS、AsN气体共存，2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H₂Se存在，1100 K开始生成SeS和Se₂气体，1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO；Pb在中低温时主要是PbS，1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS（g）、PbS（g）、SeS（g）的比例，氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响；Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小，但对Pb的形态分布影响较大。     

2007年信息产业10项重点工作

2007年是落实信息产业“十一五”规划的重要一年,总的要求是全面落实科学发展观,坚持结构、规模与质量并重,推动产业增长方式向集约型转变;坚持技术、业务与市场紧密结合,不断提高自主创新能力;坚持以人为本、监管为民,促进城乡和区域协调发展,着力解决人民群众关注的热点问题;坚持依法行政,进一步转变政府职能,深化体制机制改革,推进电信强国、电子强国建设,努力实现又好又     

360mm直径的锗晶体生长成功

2005年12月30日，德国的CGS公司和Photonic Sense公司宣布他们已绎成功生长出了世界上最大直径的锗晶体棒。Photonic Sense公司负责晶体的生长，CGS公司提供该晶体生长工艺学的专门技术支持，两个公司合作生长出的锗晶体棒的直径超过了360mm。这种可生长大直径锗晶体的能力事实上提高了该类晶体生长的效率。