猝灭剂对场致发光亮度的影响

在任何一种场致发光粉中尽管人们没有专门掺入猝灭剂,但在其中往往不仅有发光中心,而且也有无辐射复合中心,或者猝灭中心。猝灭中心的数量及其类型决定着辐射复合的量子效率P, 即辐射复合的数量对复合总数之比,并且显然影响着场致发光的亮度。为了简便起见,我们假设在发光粉中只存在一种猝灭中心。 往场致发光粉中附加一些诸如Co,Ni,Fe等典型猝灭剂时,从某一浓度起发光亮度就急剧下降。这些元素的猝灭作用是由二个原因决定的。第一,如果假设在场致发光激发时产生晶格离化[1,2],随后空穴在某种复合中心之间按其浓度Ni和由价带产生的空穴的俘获系数αi分布,那么猝灭中心数量的增加使发光中心上的空穴数减少,因而降低发光亮度。当激发区总的电离数Q0对于猝灭剂浓度不变时这是对的。第二,当正弦激发时在离化结束和复合开始的间隔t内,空穴通过价带在复合中心间重新分布,这一点对猝灭中心有利,因为它的能级E距     

激光器Q调

本专利的基础 1.范围本专利是叙述激光器Q调,调制加在电光调制器(如普克尔盒)上的电场,降低电压开关条件的更具体的简化电路,以调制激光腔的Q。 2.先前技术的介绍在电光Q调激光器工作中,一般需要开关高电压,开关的电压一般在3千伏到6千伏之间,这与晶体和波长有关。例如铌酸锂普克尔盒(1×1×1厘米)用于Nd:YAG     

GaAlAs和InGaAsP/InP激光器中与注入电流密度有关的阈值以上时的光增益测量

将GaAs/GaAlAs或InP/GaInAsP(DH)激光器的P边条形接触分成8个或更多的长50μm、间隔为5μm的独立段,再测量其光增益,这种光增益是注入电流密度的函数。两个相邻段之间的电阻约为50Ω,这样我们就可以分别激励任意一段。我们可以通过增加不同的激励段数来改变激励长度。如果同时激励所有各段,我们就获得了一个正规的激光器。为了避免反射波的影响,接近于反射而的第一段不加激励,依次激励其余各段,一段所产生的光的一部分会被其余段放大或吸     

掺硫砷化镓层的汽相淀积

在 n 型砷化镓外延层的汽相生长中,硫是一个常用的掺杂剂。最简单的方法是用硫化氢作为汽相掺杂剂。用氢稀释的这种气体可以购买到,并用可变泄孔送进淀积系统中。但是,由于泄漏速度的不可逆的变化,要得到恰当限量的以及可重复的掺杂剂浓度是困难的。实验已表明,在真空系统中常用的可变泄漏(Varian,Leybold)只能校准到一个数量级之内。其他方法例如用精密计量阀和转子法量计逐级稀释掺杂气体,也需大量的设备和长时间的校准。参考资料中关于气相中硫化氢浓度和外延膜中的施主浓度之间的关系方面的数据。存在着大量矛盾,多半是由这些问题所造成。     

离子注入硅Nd-YAG连续激光退火

本文报导用扫描Nd-YAG连续激光对<100>硅中注铋的损伤层进行的退火研究。测量表明:退火能使离子注入造成的晶格损伤很好恢复,90％以上的铋原子处于替代位置,杂质浓度的分布保持不变。文中对退火参数的选择、均匀性,以及表面温度升高、外延再生长层厚度等问题进行了讨论。文末还将实验结果与熔化型脉冲激光退火进行了比较。     

场效应晶体管的热噪声

场效应晶体管的限制噪声机构是导电沟道的热噪声。这噪声可以用一个与输出并联的电流发生器(i~2)/(1/2)来表示。(?)值已计算出,对于零漏电压,这噪声相应于漏导的热噪声,而对于其他的偏压条件,给定栅压的噪声只稍微与漏压有关。由于沟道的调制效应,除了零漏偏压和超过饱和外,(?)是稍微大于直流漏导的热噪声。器件的噪声电阻近似等于 g_(max)/g_m~2,这里的g_m 是晶体管的跨导,而 g_(max)是它的最大值。如果考虑了由于沟道串联电阻引起的反馈,此近似变得更加精确。     

X和Ku波段GaAs肖特基势垒场效应晶体管

已作出1微米栅的 GaAs 肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。它适于 X 和 Ku 波段应用。整个 X 波段的单向功率增益超过9分贝,10千兆赫下噪声系数仅5分贝。     

双台面工艺

在混合或其他电路中,无封装的半导体片虽然能减少器件封装的费用,但大多数器件都相当脆弱,必须非常仔细地操作才不致损坏或沾污。采用的玻璃钝化虽然减少捐坏,但是在热应力下器件边缘会发生少量的碎裂现象,并引起器件沾污。对杂质极为敏威的三端交流开关器件尤为麻烦。在玻璃纯化半导体开关元件中,通常在有源区周围淀积玻璃槽,将结隔离开。但是,在     

稀土硫氧化物薄膜的阴极射线发光

制出了稀土硫氧化物薄膜,这种薄膜本征阴极射线发光效率与同样的粉末状材料相等。这些薄膜可承受电子束装置的最大功率密度7W/mm~2,而不致烧伤或强度达到饱和。用12—KV阴极射线激发铽(Tb)激活的硫氧化镧薄膜,测得最高亮度,4×10~4呎朗伯是受到激发设备条件的限制的、做出了以Eu,Tb,和Tm激活的一种硫氧化镧多层薄膜,其发光颜色随电压而变化。     

场效应晶体管的中高频栅噪声

在较高频率下,场效应晶体管的栅噪声随频率的上升迅速增加。这种影响可以归结为导电沟道的热噪声,是由沟道和栅间的电容耦合引起的。这种噪声可以分别由栅和漏的噪声电流发生器 i_g 和 i_d 表示;发展了一种对于中高频计算 i_g~2、i_d~2和(?)的近似方法。i_g 和 i_d 的相关系数是个虚数,且在饱和条件下其值约为0.40j。i_g~2可以由噪声电阻 R_n 和栅一源电容 C_g,表示。已经证明,相关系数仅微弱地影响噪声系数 F,而(F_(min)-1)在宽频范围内随ωC_(g3)R_n 变化。