高速室温HgCdTe CO_2激光探测器

目前,一种新型的HgCdTe量子探测器正越来越多地用于10.6μm的CO_2激光辐射的探测。这种器件的特点是响应时间极短。在高频下,其响应率和探测度居于致冷的量子探测器与非致冷的热探测器之间。这种新型器件的主要研究者是波兰华沙的S.Kaliski等离子体和微型核聚变研究所。类似的工作已由MIT林肯实验室和休斯飞机公司报导过。这种新型的室温探测器可为光导型(PC)和光电磁(PEM)型的器件。光导器件在波相外延HgCdTe薄层上制作,而光电磁器件的备用材料是在合适的衬底中直接蒸发HgCdTe。(见图1)这两种类型的室温器件都是用Cd:Hg约为5:1的材料制作的,其峰值     

真空隧道──显微新技术

扫描隧道(电子)显微镜(STM)利用极锐的针尖探查表面电子波函数,可以分辨出表面上分立的原子,揭开了表面上台阶、平台和原子列阵的一个新世界. 我是在1982年4月,飞临大西洋上空时,看到真空隧道显微术的报道的.当时我们完成了声学显微术方面的工作,几个月来正在为斯坦福显微术研究组寻找新方向而烦恼.我正在考虑的方案不少,诸如建造X射线显微镜等,但没有一件事可以定下来.我本想利用这次飞往伦敦参加会议旅途中的时间,摆脱掉烦恼。认真思考思考.在去机场的路上,我在我的办公室前停了一下,带上最新一期的 Physics Today,当我打开它的时候正…     

用硫醇在Ni(100)面上的分解和脱附

用程序升温脱附(TPD)和俄歇电子能谱(AES)在80～773K范围内研究了甲硫醉在Ni(100)面上的脱附和分解.结果表明:当甲硫醇暴露度≤3L时(1L=1.33×10~4Pa.S),甲硫醇在表面分解的脱附产物为氢和甲烷;甲硫醇暴露度≤4L时,除有表面反应生成的氢和甲烷脱附外还伴随有甲硫醇的脱附.AES测量表明,由甲硫酸分解产生的硫原子被强吸附在Ni(100)面上,并对Ni(100)面起化学改性的作用.在甲硫醇暴露度为0.5～3L范围内,滞留在表面的强吸附硫量随甲硫醇的暴露度成正比增加.当甲硫醇暴露度等于10L时,强吸附硫量接近饱和值.表面硫的存在对甲硫醇在Ni(100)面上的反应和吸附性能有明显的影响,硫化学改性的主要作用是阻塞了Ni(100)面上的四重穴中心,降低了Ni(100)面对C-H键、C-S键、和S-H键的裂解活性.     

在紫外激光作用下Mg原子同位素的共振荧光漂移

由法布里-珀罗干涉仪给出频率标准,由原子束炉产生的镁原子与垂直于原子束的紫外激光作用,产生镁原子同位素的共振荧光发射.测量了镁原子同位素~(24)Mg.~(25)Mg和~(26)Mg在 285.2 nm的共振荧光漂移.     

Hg_(1-x)Cd_xTe上的阳极硫化〔物〕膜

本文第一次报导Hg_(1-x)Cd_xTe的一种新表面钝化法,它以自身硫化物而不是自身氧化物为基础。在溶液中的电化学元件上用简单的可再现阳极法形成自身CdS膜。在窄带隙Hg_(1-x);Cd_xTe(在77K时为0.1～0.2eV)上由阳极化形成的自身CdS的带隙为2.4eV,看来很适用于表面钝化。研究结果说明已形成具有所要求电和电光性能的界面供在p型Hg_(1-x)Cd_xTe上制备的光伏器件所用。     

EMS产业的并购趋势

随着企业的增长或倒闭，EMS产业的扩张战略在过去15年里始终处于动态中。并购是扩张最快捷的方式，广泛发生于1990年代。在今天的全球市场上被并购的企业类型则截然不同。并购企业是为了建立当地的样机开发基地，或者增加EMS服务内容的多元化。美国任何地方的企业对于本国的OEM公司来说都可看作是“本地”的。     

在BaYF_5中Eu~(2+)和Ho~(3+)的荧光和能量传递

在脉冲N_2分子激光激发下,研究了在BaYF,中Eu~(2+)和Ho~(3+)的发射光谱,激发光谱和荧光寿命,以及Ho~(3+)的超灵敏跃迁(~5I_8→~5G_6)。在Ho~(3+)发射光谱中,~5S_2→~5I_8跃迁占主导地位。从Eu~(2+)到Ho~(3+)离子发生了能量传递。实验和理论结果符合于Inokuti和Hirayama方程。无辐射能量传递的机理属于偶极子-偶极子相互作用,临界传递距离R_06A。计算了能量传递几率和效率。     

CMOS集成电路的辐照失效模式

本文研究了工业生产和实验室制作CMOS工艺的辐照灵敏度;建立了CMOS电路失效水平与晶体管阈值电压漂移及典型的倒相器失效模式的关系式;测量了CMOS倒相器参数与器件电离辐照时间的关系,这些器件是由不同的10个生产厂家制造的,它们代表着总共15种不同的工艺;通过选取某些特定的工艺,CMOS电路经受剂量大于10~6拉德(硅)电离辐照后仍可正常工作。