高强钢筋混凝土单向板在非接触爆炸下的抗爆性能研究

钢筋混凝土(RC)单向板是桥梁建设的重要组成部分. 对6块高强RC单向板进行非接触爆炸试验, 研究HRB400、HRB500和HTRB600高强RC单向板的抗爆性能, 分析爆炸后试件的破坏形态和参数. 结果表明 非接触爆炸下, 3种类型高强钢筋混凝土单向板的破坏形态相似, 单向板整体响应后出现弯曲破坏, 侧表面出现多条弯曲破坏裂缝; 在2.5kgTNT作用下的HTRB600高强RC单向板的裂缝数量和裂缝类型与2.1kgTNT作用下的HRB500高强RC单向板和1.7 kgTNT作用下的HRB400高强RC单向板差别不大, 相差范围在1条裂缝以内; HTRB600高强RC单向板在承受更大载荷时, 其平均加速度峰值比低载荷下HRB500、HRB400高强RC单向板分别增加45.1%和88.6%, 其抗弯承载力更好, 刚度更大.     

波形钢板-UHPC组合桥面板结构截面优化

对实腹式波形顶板-UHPC(超高性能混凝土)组合桥面板进行了改进, 采用空腹式结构建立波形钢板-UHPC组合桥面板有限元模型, 研究UHPC层厚度、波形钢板厚度、波形长度、下缘板宽度和波形高度等截面参数变化对组合桥面板受力特性的影响, 并确定其合理取值范围. 在此基础上, 通过理想点法对参数组合进行优化, 得到合理的参数匹配. 研究结果表明 相较于实腹式组合桥面板, 优化后的组合桥面板自重减小35%, 钢板弯折处应力减小16%; 相较于正交异性钢桥面板, 桥面板用钢量减小7%, 顶板与U肋连接位置应力减小47%.     

Pt/Si界面化学键性质的研究

在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.由 Si(2p)峰的强度随 Pt 覆盖度的变化可以清楚证明:在 300 K下淀积亚单原子层至数个单原子层 Pt的 Pt/Si(111)界面发生强烈混合作用,其原子组伤是缓变的.由于Si原子周围的 Pt原子数不断增加,所以 Pt 4f芯能级化学位移随 Pt原子覆盖度的增加而逐步减小,而Si 2p芯能级化学位移则逐步增大.同时,Pt 4f峰的线形也产生明显变化,对称性增加;Si 2p峰的线形则对称性降低.淀积亚单原子层至数单原子层Pt的UPS谱,主要显示两个峰:-4.2eV(A峰),-6.0eV(B峰).A峰随着覆盖度的增加移向费米能边,而B峰则保持不变.这说明Ptd-Sip键合不受周围Pt原子增加的影响.利用Pt/Si界面Pt原子向Si原子的间隙扩散模型讨论了所观察到的结果.     

一种带权动态调整的总体布线算法及其实现

本文对现有的总体布线方法及宏单元阵列总体布线问题进行了详细分析,提出了一种基于带权动态调整思想的适合于宏单元阵列一层半和双层版图模式的总体布线算法,其目标是合理地利用已确定的布线区域,使各线网均匀地分布在芯片上,获得尽可能高的布通率。     

MPNIM结构光致变电容效应

本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.     

N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。     

钨硅化物砷化镓Schottky接触的形成和特性

本文报道了钨硅化物-砷化镓Schottky接触的形成过程和电学特性.实验表明,WSi_x/GaAs Schottky接触具有优越的I-V特性,势垒高度保持在0.8V,理想性因子实际上保持在1,并具有高温稳定性.研究表明,除了硅化物的成份,表面处理工艺和硅化物淀积技术也将对Schottky接触的I-V特性和热稳定性产生强烈的影响.本文提出利用对GaAs衬底的溅射腐蚀和在淀积过程中加以负的衬底偏置能显著地改进金属层与衬底的粘附性.     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为

研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.     

窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.