铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究

该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能。采用提拉法成功生长了55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性。测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性。     

TGG晶体偏心生长研究

目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,并提出了相应的解决方法,最后成功生长出外观完整(44 mm×70mm)的TGG晶体。通过对比圆柱状和螺旋状晶体透过率的不同,进一步解释了偏心生长的原因。     

小动物PET成像用LYSO闪烁晶体阵列研究

小动物正电子发射断层技术(PET)成像较人体PET成像,对空间分辨率和灵敏度提出了更高的要求,进而促进了小动物PET用闪烁阵列制备工艺的发展。硅酸钇镥(LYSO)晶体具有高密度,高有效原子系数,响应时间短等优点,是一种极具发展潜力的新型闪烁晶体材料。该文提出一种以LYSO闪烁晶体阵列的制作方法,采用提拉法实现大尺寸闪烁晶体LYSO的生长;运用化学机械抛光法对切割后晶条进行全局平坦化抛光处理;利用自制高精度夹具组装单根晶条至阵列形式,最终制作成可应用于小动物PET的LYSO闪烁晶体阵列。     

自来水厂变频循环投切恒压供水系统

多泵变频恒压供水常用的两种方案,比较了两种方案的优劣。重点介绍多泵变频恒压供水循环投切的控制过程,以实例说明循环投切方案的可行性。     

基于虚拟现实交互的机械臂协同控制

虚拟现实(Virtual Reality)是一种利用计算机硬件和软件集成的技术,对计算机图形学、人机交互、多媒体、网络通信等多种技术进行综合应用,从而为用户提供虚拟三维世界体验的一种技术。传统机械臂远程控制普遍采用的是手柄和键盘控制方式,而且今后方式普遍是摄像头图像显示在监控器上,和现场操作差别很大。协同控制机械臂将人的主观能动性与机械臂精确作业结合起来,可以实现在人类不能到达的特定环境下,利用远端机器人进行作业,同时通过VR系统模拟真实环境为用户提供身临其境的体验。本文主要以Unity3d引擎为支撑,头戴式显示设备HTC VIVE作为虚拟现实硬件设备,通过Steam VR设计与实现一个具备通用交互行为功能的VR交互场景,利用Socket通信将VR系统与机械臂进行连接,从而实现与机械臂的交互协同控制。     

提高DF11机车485接口的可靠性

分析了DF11型机车微机柜485接口的EMC问题及其存在的故障隐患,指出该接口在实际运用中存在的问题;并介绍电磁干扰产生的机理、传播途径及抑制措施.     

一种基于软件定义网络的通信网络保护方法

为了应对互联网数据传输过程中的分布式拒绝服务攻击(DDoS),提高互联网数据传输的安全性,通过对SYN泛洪 攻击机理进行分析研究,提出应对SYN泛洪攻击较为有效的软件定义网络(SDN)防御机制,分析其防御机理,建立 SDN信息熵计算模型,并构建了实际仿真计算实验环境, 研究结果证明SDN能够较为快速有效的对SYN泛洪攻击进行防御,同时能够对类似于SYN攻击的其他DDoS攻击进行有效防御。     

自来水厂变频循环投切恒压供水系统

多泵变频恒压供水常用的两种方案，比较了两种方案的优劣。重点介绍多泵变频恒压供水循环投切的控制过程，以实例说明循环投切方案的可行性。     

硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用

绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。     

AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.