排序方式: 共有134条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径,但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平,本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上,重点研究了MOS器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响,并根据低温工作的特点,提出了MOS器件一种低温按比例缩小规则,该原则对低温器的优化设计,从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。 相似文献
2.
3.
4.
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 总被引:7,自引:5,他引:7
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。 相似文献
5.
一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早(双极晶体管于四十年代末出现),大约在二十年代后期,人们就发现了“场效应”,并在三十年代初期出现了应用场效应原理工作的原始的场效应器件。 相似文献
6.
随着大规模集成电路的发展,已经提出了多种MOS器件阈电压模型.然而,由于该种器件沟道区往往有离子注入,通常采用某些近似来模拟掺杂分布,这样得到的阈电压表示比较粗糙,且不太实用.为解决这一问题,本文提出了等效浓度的概念以及计算方法,在此基础上得到了一种新的阈电压模型,并指出了具体确定阈电压的步骤,数值结果与两维模拟基本一致.该方法与通常方法相比具有简单实用的特点. 相似文献
7.
8.
9.
由SiGe合金与Si构成的应变层异质结构、量子阱是80年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础、高质量SiGe材料的制备以及低温SiGe器件研制中的几个关键技术。 相似文献
10.
液晶显示多行扫描驱动芯片设计 总被引:4,自引:0,他引:4
多行扫描驱动方式具备低功耗、高对比度、响应速度快、串扰少、制造成本低和宽温度范围等优点 ,可大幅提高无源驱动的显示质量。文中采用 Hadmoard矩阵作为基本正交函数 ,设计了 4行驱动多行扫描芯片的系统结构 ,并采用动态 CMOS逻辑阵列结构设计了列驱动芯片中的关键电路 -码转换模块。结合 UMC0 .6μm工艺模拟验证后的结果显示 ,该模块 5V下的延迟时间为 11ns,最大工作频率可超过 2 0 MHz,功能和参数性能均符合实际设计和应用要求 相似文献