用水银探针测定杂质浓度分布的方法和装置

本文介绍的是关于半导体衬底中的杂质浓度以及经外延生长、杂质扩散、离子注入等工艺过程的半导体中的杂质浓度分布的测定方法和装置。近年来,随着电子工业技术的发展,作为其主力军的半导体、集成电路等,愈来愈多样化起来。与此同时,向半导体衬底掺杂的方法也多样化了。例如,在采用离子注入掺杂的方法中,用以前的简单余误差函数分布和高斯分布不能说明的地方很多,在这种情况下,杂质浓度分布的测定对各厂家、研究机关等都成了非常重要的问题。     

耿二极管的高可靠性技术

一、前言耿二极管是1963年由 IBM 公司的 J.B.Gunn 发明的,能直接产生微波振荡的器件,现今以通信机为首,在各种多普勒速度表、警报器等民用微波检测器中正在获得广泛应用。耿二极管在其研究初期,认为它是“幻想二极管”,只有短暂的寿命,所以直到现今的实用阶段,其发展历史的确可看作是可靠性研究的历史,在这期间,从工作机构、半导体材料、电极、散热、使用方法等与耿二极管有关连的所有方面积累了提高可靠性的技术。耿二极管作为微波源虽说已进入了实用阶段,但尚缺乏保证其可靠性的数据,从机器的设计和检修观点出发,期望获得有关可靠性的技术根据,以及高可靠性技术的确     

采用汽相生长法研制出毫米波耿二极管

日本富士通公司采用氮气为运载气体的汽相生长法研制成功了高效率的耿二极管。该器件在50千兆赫(毫米波)频带下工作,在激励电压为几伏的情况下具有120毫瓦的振荡输出和4％的振荡效率。以前,亚毫米波频带的耿二极管一般能用汽相生长法制造,而毫米波频带的器件则用液相生长法制造为好。世界上毫米波耿二极管的最高水平是由美国的维利安公司发表的,据称振荡输出为150毫瓦,效率为4％。富士通用氮气代替传统的氢气作为运载气体,确立了制造实用器件的技术。由此期望新器件能起到进一步开拓毫米波应用范围的作用。目前商品化的耿二极管以10千兆赫至25千兆赫频带(亚毫米波)的为主流,所使用     

采用球面研磨的硅结深的测定

1.绪言在测定硅之类半导体片内较浅的扩散层、离子注入层、外延层的 PN 结结深时,如果使深度方向扩展之后再进行观察,则能获得良好精度的测定。球面研磨法是实现此目的的一种方法。球面研磨与一般常用的平面角度研磨相比具有如下的优点:(1)从测定原理上来看,PN 结结深越浅,其深度方向的扩展率就越大;(2)用显微镜观察半导体表面的测定点相当方便,而且可以局部选择;(3)只要测定片子表面的尺寸就行了等等。而实际上随着 PN 结结深变浅,研磨面和半导体表面之间的夹角就随之而变大,使     

温度应力分布对威伯尔寿命参数的影响

一、序言为了掌握电子元件和材料的寿命特性,人们往往利用了可靠性试验数据和实际使用数据这一字眼。而后者的实际使用数据虽能获得十分巨大的元件小时数,但是由于存在着各种取样或取样之间的应力变动以及随系统的不同而失效的定义和保护方式也不同等理由,所以存在这样一个缺点,即推算出来的寿命分布参数及其可靠区间不准确。因此,由两者的数据求出的失效率仅是与经验系数(K 因子)相关联,至于与推算出的参数之间的关系尚未进行深入研究。     

低温PSG钝化工艺技术及其应用

磷硅玻璃(PSG)是一种优良的钝化介质.其主要特点是其抗钠离子沾污的能力强,工艺操作简便,淀积温度低(低于500℃),适用于半导体器件电极金属化之后的二次表面钝化.这样既起到了表面钝化作用,又保护了铝层电极,从而可提高半导体器件的合格率及可靠性.     

电子束曝光装置的研究现状

电子束曝光作为扫描型电子显微镜的应用技术制作集成电路图形大约是在十年前开始的。其分辩率早就被公认是很好的,研制出来了用光所不能实现的新器件,但还未达到实用阶段。其主要原因是曝光所需时间太长,装置的稳定性也差。但是在这期间,实施了电子光学、电子电路的各种考虑方案,做了基础方面的理论分析,进行了各种数据的积累和方式考查。扫描型曝光中的光栅扫描法、随机存取扫描     

LPCVD反应管干式清洗法

随着半导体器件工艺技术的发展,人们日益广泛地采用LPCVD法生长作为介质或表面钝化用的氮化硅和作为MOS器件栅电极用的多晶硅。 在氮化硅、多品硅生长的同时,这些物质也会生长到反应管内壁上(这是人们所不希望产生的)。随着生长炉数的增多,附在反应管内壁的薄膜也相应加厚。当累积厚度超过10微米时,由于薄膜与石英之间膨胀系数有差异,而产生龟裂现象(石英管内壁龟裂,直观的来看是腐蚀掉氮化硅或多晶硅后内壁发毛)。在严重情况下会产生掉皮现象,影响片子质量及机械泵的使用寿命。     

耿氏二极管的击穿电压特性

在研究耿氏二极管击穿电压特性和晶体特性之关系的同时,以搞清楚存在这些关系的主要原因为目的而进行了实验研究。采用有源层内电子浓度分布不同的三种砷化镓晶片制作耿氏二极管,求得了击穿电压与温度及脉冲特性的依赖关系。由实验结果可知,击穿电压特性极大地依赖于阻极附近有源层向衬底的电子浓度的上升梯度,随着梯度变陡,(1)整个有源层内均匀温升的情况下,击穿电压与温度的依赖关系变小;(2)有源层内产生温度梯度的情况下,击穿电压示出了上升或下降的倾向,而且上升率变小。进而关于由晶体特性引起击穿特性不同的主要原因,设计了两种有源层内电子浓度分布的模型,考察了这两种模型中畴电场分布随温度变化的关系。其结果是(3)阳极附近电子浓度的上升梯度变陡的模型与不陡的模型相比,畴电场分布随温度变化小,而且数值计算和实验结果定性地示出了一致性良好。由此搞清楚了在阳极附近电子浓度上升梯度引起击穿电压特性不同的主要原因之一就是基于畴电场分布随温度变化。     

半导体制片工艺的新动向

制片工艺的地位看来,电子计算机与采用硅制造的单片集成电路有很大的依赖关系,这种状况暂时将继续下去。其理由比较简单,下面例举几条就足以说明:(1)在最近的将来几乎不可能出现胜过硅特性的半导体材料;(2)在电子计算机中所代表的信息处理机能只要能以电子电路的形式来实现,构成电路的器件排列只能是矩阵式的;(3)二维矩阵式的工艺技术对于人们来说很熟悉,是行之有效的好技术。