微导通孔工艺用附树脂铜箔

形成微导通孔的方法大致有:使用激光形成,等离子形成和光刻形成等三种。它们各有各的利弊,各公司目前正在进行这些技术的融合。其中最为引入注目的方法就是,采用附树脂的铜箔形成微导通孔。微导通孔工艺用附树脂铜箔是     

远红外涂料在农村烤烟炉上的应用

远红外加热烘烤技术在工业上已广泛应用于各种涂层、物料的加热烘烤,而用于农村火垄式烤烟炉则是近几年才开始推广,尚远未普及。昆明物理所研制生产的烤烟用远红外辐射涂料在宜良及丽江等地区推广应用,证明可缩短烟叶烘烤时间、提高烤烟质量等级、节省燃料和劳力,使烟农增加收入,国家增加税收,效益显著。     

三星破牢之后

一纸“内销许可证”扫除了三星在国内市场直接制造和销售手机的障碍，打开了一直关着三星的销售牢笼。当这个巨人突然站在身边的时候。国产企业将感受到来自邻邦对手的强大威胁，而一片“繁荣”景象的水货市场会否从此风平浪静?     

超大规模集成电路高可靠多层互连线的制作问题

铝在超大规模集成电路(VLSI)金属化中存在着一系列影响互连可靠性的因素。但是,铝仍是多层互连结构有前途的材料,尤其是用电子束蒸发制作所谓“竹节结构”(bamboo struct)连线获得了理想的结果。在高真空条件下,电子来蒸发耐熔金属可以在相当低的温度下(550～650℃)获得高质量的硅化物层(TiSi_2、CoSi_2),可避免与硅接触的地方产生强应力。用钨作阻挡层和连线比Al更有前途,这首先是因为耐电迁移强度差不多要高两个数量级。对于淀积平整的介质层来说,把蒸气混合物激励淀积到负温度衬底上是有发展前途的工艺。     

Ce：LiCAF对激光器紫外短脉冲序列的产生

利用由常用的１０－ｎｓＱ开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光的四次谐波泵浦的Ｃｅ：ＬｉＣＡＦ激光器，直接地，被动地产生了２９０－ｕｍ，６００－ｐｓ脉冲序列。使用Ｃｅ：ＬｉＣＡＦ激光增益介质，采用最近提出的自注入种子脉冲序列结构，实现了简单的，全团体的紫外短脉冲激光器系统。     

稳态锁模产生4ps激光脉冲

首次利用ＧａＡｓ光电导开关，控制Ｎｄ：ＹＬＦ激光器腔内Ｑ值，实现稳态锁模，获得脉宽和能量稳定性极高的４ｐｓ激光脉冲。     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

圆板几何非线性方程摄动解的收敛性

本文从一般角度出发,详细讨论了圆薄板几何非线性方程的正则摄动解和对应的迭代解的计算格式以及它们两者之间的关系,通过证明迭代解的收敛性,解决了摄动解在区域上一致收敛这一棘手问题。     

32OH场强仪检修一例

故障现象:在以下各频段频率显示如下: FM 90M—120M 正常值85M—117M; VHF(LOW) 56M—220M 正常值45M—178M; VHF(H1GH) 440M—660M 正常值153M—455M; UHF 660M—980M 正常值449M—863M。与正常值相差甚远,且在FM、VHF(LOW)、VHF(H1GH)、UHF的任一段,不论40dB、20dB衰减开关是否打开,表头总有停在中间段的指示,扬声器总有噪声。 检查维修:打开机壳,取出机芯,可以见到除电解电容、按键开关、电位器、高频头等