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1.9 GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计 总被引:1,自引:0,他引:1
对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC 0.18μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS-NMOS LNA)和典型的NMOS LNA。利用Cadence-SpectreRFTM,对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明,在功耗相近时,PMOS-NMOS LNA能够提供比较大的电压增益,其噪声特性与NMOS LNA相近;NMOS LNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势。 相似文献
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一种用于蓝牙系统的延迟锁相正交信号发生器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种延迟锁相结构的正交信号发生器 ,用于蓝牙的射频信号收发电路。介绍的延迟锁相环路结构使电路性能具有良好的工艺变化不相关性 ,在很宽的频带范围内均可获得高性能的正交信号。电路采用单层多晶硅、四层金属、0 .3 5 μm CMOS数字工艺实现 ,仿真结果表明 :电路稳定工作在 2 .45 GHz频率下 ,在 1 40 MHz的输入信号频率变化范围内 ,输出的正交信号相位偏差低于 1°,幅度偏差小于 5 %。电路主要由有源器件构成 ,面积小 相似文献
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1.9 GHz高线性度上混频器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了采用0.35μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850~1 910 MHz)发射器系统中。电路采用了multi-tanh线性化技术,可以得到较高的线性度。在单电源+3.3 V下,上混频器电流约为6 mA。从上混频电路输出级测得IIP3约8 dBm,IP1dB压缩点约为0 dBm。 相似文献
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