异质互连通孔等效电路模型及其特性分析

考虑了三维异质集成系统中不同衬底层对通孔产生的寄生效应,分别提出了应用于单个和一对差分异质互连通孔的宽频带等效电路模型。在所提出的模型中,Csub和Gsub分别表征衬底耦合效应,Lm、Cm和Gm分别表征两个通孔之间的耦合效应。通过验证,模型在150 GHz频带范围内都具有较高的精度。基于所提出的模型,对单个和一对差分互连通孔影响其电特性的结构参数进行了深入分析,为三维异质集成电路的设计提供了依据。     

自适应双树复小波遥感图像复原

由于遥感图像先验知识难以获取,提出了一种自适应的双树复小波迭代收缩复原算法。该算法根据模糊程度和噪声程度估计正则化参数,并利用经验公式计算收缩阈值。在实际应用中,算法能有效解决两步迭代算法使用固定参数的缺点,从而达到提高图像复原质量的目的。实验表明：相对于两步迭代算法,该算法复原图像的峰值信噪比提高0.64~12.23 dB,收敛速度提高1.4~16倍;同时,算法在提高图像复原质量、抑制噪声干扰及减少计算时间方面优势明显。     

High-Current Multi-Finger Mesa InGaAs/InP DHBTs

Characteristics of single- and multi-finger mesa InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors （DHBTs） are compared. The current gain decreases with the increasing number nf of the emitter fingers due to the mutual thermal interaction between the fingers. The Kirk current can be as high as 150mA for four-finger DHBT. No degradation of the peak of the current gain cutoff frequency ft is found for multi-finger DHBTs. The peak of the maximum oscillation frequency fmax decreases with an increase of nf due to the increasing parasitic resistance of the base. The results are very helpful for applications of the common-base DHBTs in power amplifiers operating at very high frequencies.     

High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with fmax=256 GHz and BVCEO= 8.3 V

正An InGaAs/InP DHBT with an InGaAsP composite collector is designed and fabricated using triple mesa structural and planarization technology.All processes are on 3-inch wafers.The DHBT with an emitter area of 1 x 15μm~2 exhibits a current cutoff frequency f_t = 170 GHz and a maximum oscillation frequency f_(max) = 256 GHz.The breakdown voltage is 8.3 V,which is to our knowledge the highest BV_(CEO) ever reported for InGaAs/InP DHBTs in China with comparable high frequency performances.The high speed InGaAs/InP DHBTs with high breakdown voltage are promising for voltage-controlled oscillator and mixer applications at W band or even higher frequencies.     

多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式

针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果。在不改变工艺结构的前提下,“双背孔”和“四背孔”形式可以分别满足200 GHz/300 GHz以下介质膜抑制需求,此时背孔所占面积最小,可以有效减小背孔排列密度,增加电路集成度。     

基于TC8830AF的智能语音卡结构与设计

本文描述一种基于８０３１单片机和ＴＣ８８３０ＡＦ语音处理器的ＰＣ机智能语音卡，通过软硬件设计解决了ＰＣ－８０３１－ＴＣ８８３０ＡＦ结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时，仅占用极少的ＰＣ机ＣＰＵ处理时间，能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。     

梁波传播的固有特性

以分布参数的理论为基础，分析了梁波传播的一些固有特性，说明了它们与周期性结构的关系，讨论了支持条件对波传播特性的影响，指出了如果把近似方法应用于波传播分析中，可能引起的一些问题．本文的结果可直接应用于周期性结构的分析中     

Connecting orbits among Denjoy minimal sets for monotone twist map

In a Birkhoff region of instability for an exact area-preserving twist map, we construct some orbits connecting distinct Denjoy minimal sets. These sets correspond to the local, instead of global minimum of the Lagrangian action. In the earlier work, Mather constructed connecting orbits among Aubry-Mather sets and the global minimizer of the Lagrangian action.     

机载数字记录系统的软件开发

介绍某型飞机的机载数字记录系统，它可同时对飞机上的6种视频信号和1种音频信号进行压缩记录，对重要事件同时产生音、视频标记；详细描述了以Visual C 为软件平台，参照硬件电路的要求和实际所要完成的任务进行的软件开发过程。     

最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件北大核心

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能,器件电流增益(β)为25,击穿电压(BVCEO)为4.2 V(Je=10 μA/μm2),电流增益截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)分别达到390 GHz和620 GHz。基于0.25 μm InP DHBT工艺,研制了340GHz单片集成放大器,该放大器小信号S参数测试结果如图3所示,300 GHz 增益为 15 dB,340 GHz 增益为 7.5 dB。