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1.
本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物. 相似文献
2.
A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions. 相似文献
3.
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7.
阳极氧化与超临界干燥结合制备多孔硅 总被引:2,自引:0,他引:2
多孔硅(PS)在室温下发射强可见光,这一发现在国际上引起极大关注,成为材料科学、半导体物理和化学以及信息科学领域研究的热点[1,2].最近三、四年,国内外对PS制备工艺、影响PS发光的因素、PS发光机制、PS应用前景等方面进行了广泛的研究[2],但有一些基本问题仍待解决,如关于PS发光机制尚存在分歧;PS电致发光效率低,离应用差距甚远;高多孔度PS微孔结构不稳定等.PS微孔内溶剂蒸发过程中,由于毛细管张力的存在,造成微孔骨架受力不匀.强的应力使PS骨架脆弱,甚至微孔结构坍缩,从而导致PS结构不稳定.对于高多孔度… 相似文献
8.
The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a-Si:H solar cells. The steady-state PDMR signals are dependent on the light intensity, microwave power and sample temperature. Particularly,the delay time of signal or the phase shift of lock-in amplifier is also dependent on the light intensity and temperature. For a given temperature and microwave power there is an optimum light intensity for the signal noise ratio. According to our results, a brief analysis and discussion are given. 相似文献
9.
将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到Au/1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅/p-Si的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.Au/未注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光光谱在1.8eV处出现主峰,在2.4eV处还有一肩峰.在Au/Si注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光谱中,上述两峰的强度分别增加了2倍和8倍;在Au/Ge注入不大,但都观测到峰位位于2.2eV的新发光峰.采用隧穿-量子限制-发光中心模型对实验结果进行了分析和解释. 相似文献
10.
多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献