高电导率的a—SiHY合金的低温电导特性

用射央求地在硅单晶衬底上沉积出电导率高达６０Ｓ／ｃｍ的ａ－ＳｉＨＹ合金薄膜。在２０－３００Ｋ，对于钇含量高的样品，其电导仍是热激活的。ｌｇσ与１／Ｔ的关系曲线能够被拟合成斜率不同的两条直线，直线的斜率和两直线间拐点所地 温度依赖于膜中钇的含量。但对钇含量低的薄膜，电导对温度的依赖关系度为σ∝ｅｘｐ（－１／Ｔ＾１／４）。结果表明，这些钇含量不同的样品在没的温度范围内具有不同的导电机制。     

退火对射频溅射法制备a-Si∶H∶Y合金薄膜结构和性质的影响

对射频溅射法制备的ａＳｉ∶Ｈ∶Ｙ薄膜进行电子衍射、红外吸收和卢瑟福背散射测试，结果表明，退火可从以下几方面改变膜的结构和性质：使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化；改变原子间的键合状态，使某些ＳｉＨ键断裂，形成更多的ＳｉＹ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ∶Ｙ合金层厚度增大。     

GaN蓝光材料及其应用

本文介绍了作为第三代电子材料的ＧａＮ的基本性质，综述了其主要制备方法及应用领域，对其应用前景进行了预测。     

GaN蓝光材料及其应用

本文介绍了作为第三代电子材料的ＧａＮ的基本性质，综述了其主要制备方法及应用领域，对其应用前景进行了预测。     

浅谈半导体量子点与纳米电子学

浅谈半导体量子点与纳米电子学王家俭（山东大学物理系济南２５０１００）关键词量子点，库仑阻塞现象，单电子晶体管，纳米电子学目前，以集成电路为基础的微电子技术，已在国民经济和现代战争中起到不可估量的作用。随着电路尺寸不断缩小、集成度的提高，已进入甚大规模...     

选极型功率晶体管技术特性的研究

本文介绍了新型选极型晶体管主要结构的设计方法,并分析了其技术特性,并报导其突破4万次功率循环的试验结果。在理论分析上对于提高功率晶体管抗热疲劳性能提出了新的见解。     

Si(113)表面电子结构的研究

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.     

双极晶体管发射结电流趋热效应及其对结温测量的影响

研究了当双极晶体管芯片有源区出现热班时流经其发现结的电流的趋热行为及其对用ΔＶＢＥ法测量结温的影响,提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法。