视频传输中的质量分析与抗误码技术

视频信息传输的可靠性、实时性在通信系统中起着十分重要的作用。视频通信对基于视频压缩算法的传输误差非常敏感。本对系统的传输质量做了一定的分析，简要介绍了当前的一些抗误码技术，指出在不可靠的信道上。可以用前向纠错(FEC)和误码隐藏等误码恢复技术来获得质量可以接受的恢复图像。特别指出了信源／信道联合编码(JSCC)这种在发送端采取的措施来提高视频信号的抗误码能力。     

基于开关电流技术的连续小波变换的实现方法

开关电流技术是一种新的模拟抽样数据处理技术。开关电流电路具有一般电路不具有的优点，与标准数字CMOS工艺兼容。连续小波变换是分析非平稳信号的有力工具，在信号处理上有广泛的应用。本文提出用开关电流技术实现连续小波变换的方法，并用Matlab仿真证明了其理论可行性。     

TD-PRS数据传输过程简介

当前,随着数据业务在移动通信中的地位变得越来越重要,TD-PRS也就成为了TD-SCDMA系统中必不可少的部分。本文首先介绍了TD-PRS的协议结构,接着描述了TD-PRS业务所必须经历的几个信令过程,最后详细分析了数据的传输过程,并重点介绍了UE端的各协议层对数据的处理过程。     

对乙酰基偶氮胂分光光度法测定矿石中钍

在钍的分光光度法中,普遍采用以偶氮胂Ⅲ为代表的一类对称变色酸双偶氮型试剂。这类试剂虽然对钍有较高的灵敏度,然而选择性不很理想。对乙酰基偶氮胂[2-(2-胂酸基偶氮)-7-(4-乙酰基苯偶氮)-1,8-二羟基萘-3,6-二磺酸]是武汉大学化学系研制出的一种不对称双偶氮型试剂,具有比偶氮胂Ⅲ更好的光度特性,目前国内已开始在矿石中应用。本文就对乙酰基偶氮胂测定钍的条件,共存元素的干扰及消除方法进行了详细的试验。通过对比,     

用高分辨质谱研究二茂铁类化合物

研究了八种N－二茂铁甲基苯胺衍生物的电子电离质谱（EI－MS），并与快原子轰击质谱（FAB－MS）作了比较，讨论了这些化合物的质谱特征。通过精确质量测量，确认了M^ -2 OH离子，并采用碰撞诱导裂解（CID）探讨了化合物质谱中主要离子间的关系。     

Aa1Dd1-Aa2Dd2型氢键体系的网络结构参数

利用溶胶-凝胶分配理论对氢键溶液的模型体系进行研究, 给出了体系的凝胶化条件以及凝胶点后氢键网络中各类结构参数的计算方案, 并进行了相应的数值计算. 结果表明, 当两类质子受体基团的活性不同时, 质子受体基团的竞争作用对网络结构有一定影响. 这为控制氢键网络结构特征提供了可能的理论线索.     

共价有机框架材料(COFs)在多相催化中的应用

共价有机框架材料(COFs)是一类多孔有机材料,由轻质元素组成,具有比表面积大、孔径可调、稳定性好等特点,在多相催化领域有着广泛的应用.通过改变构筑单元和缩合反应("自下而上"合成法)的类型,或是通过合成后修饰的手段,COFs可以被赋予多种功能并高效催化一系列反应.本文以基于COFs材料的催化反应类型为分类依据,对近年...     

高效液相色谱-串联质谱联用测定人血液中的全氟化合物

采用HPLC-ESI-MS/MS联用技术,建立了分析血样中9种全氟化合物(PFCs)的方法.以13C4标记的PFOS (MPFOS)作为内标物.以C18反相柱为分析柱,甲醇、醋酸铵为梯度洗脱淋洗液,9种分析物包括全氟己烷磺酸(PFHxS)、全氟庚酸(PFHpA)、全氟辛酸 (PFOA)、全氟辛烷磺酸(PFOS)、全氟壬酸(PFNA)、全氟癸酸(PFDA)、全氟十一酸(PFUnDA)、全氟十二酸(PFDoDA)和全氟十四酸(PFTA),在15 min内即可达到良好的分离.在血样前处理中,采用MTBE液-液萃取和固相萃取相结合的方法,进一步净化样品以延长色谱柱寿命;比较了4种固相萃取小柱对全氟化合物的萃取性能,最终选定HLB柱(Waters).本研究还讨论了两种C18反相柱Acclaim 120(50 mm×4.6 mm, 3 μm)和Acclaim120 (250 mm×4.6 mm, 5 μm)(Dionex) 对PFCs的分析性能,在本实验条件下,两种色谱柱具有相似的分离性能及检出限,线性范围在0.1～50 μg/L之间 (r≥0.9957);对于血液样品该方法的检出限在0.03～0.8 μg/L之间.本研究将该方法成功地应用于血样实际样品中全氟化合物的测定,加标回收除PFTA较低外,其它化合物均在74.2%～118.1%之间.     

酸洗前处理对叠层片式电感器焊接性的影响

采用电子扫描电镜和能谱分析研究了叠层片式电感器(MLCI)端电极的三层结构对焊接性的影响。利用氢氟酸(HF)具有强氧化性的特点对产品端电极银层进行微蚀前处理以起到整平作用,利于镀层的生长。试验结果证明前处理酸洗工艺能够有效改善产品镀层的焊接性。使用质量分数2%的HF进行酸洗,能够有效去除端电极银镀层上的玻璃相成分(SiO2),从而使电感器镀层表面上锡覆盖率大于90%。     

基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器

基于GaN HEMT工艺研制了一款8～12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量.测试结果表明,在8～12.5 GHz频带内,全部64个移相状态下,插入损耗小于11 dB,输入回波损耗小于-14 dB,输出回波损耗小于-16 dB,移相均方根误差小于1.8°,幅度变化均方根误差小于0.5 dB.在8 GHz频率下,1 dB压缩点输入功率高达33 dBm.芯片尺寸为5.05 mm×2.00 mm×0.08 mm.