使用提前放闪电避雷针对短波测向天线场直击雷防护

本文对短波测向天线场直击雷防护的几种方法进行分析,提出了一种使用提前放闪电避雷针进行天线场直击雷防护的简单实用方法。     

碲镉汞;高密勒指数表面;钝化;吸附;置换

文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe (211) B /Si (211)材料的CdTe 外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe /Si结构,随着CdTe厚度的增加, [ 12121 ]、[ 0121 ]两个方向的剪切角γ[ 12121 ]和γ[ 0121 ]都有变小的趋势,且γ[ 12121 ]的大小约为γ[ 0121 ]的两倍;对CdTe /ZnTe /Si, ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖     

智能电网中电力线通信系统噪声抑制方法

电力线通信是智能电网的关键技术,噪声严重影响了电力线通信质量.为此,提出一种基于改进自适应滤波的电力线通信噪声抑制方法.该方法针对变步长最小均方误差(LMS)算法收敛速度和稳态精度之间的矛盾问题,采用误差相关值作为步长调整因子,并加入补偿项,提高了算法的收敛速度和抗干扰能力.对电力线通信背景噪声和脉冲噪声抑制进行了仿真...     

微波萃取高效液相色谱法测定口红中芳香胺类化合物

利用微波萃取高效液相色谱法测定了口红中芳香胺类化合物.先将口红涂于玻璃片上,然后用微波萃取和高效液相色谱法测定萃取液中的芳香胺类化合物.研究了3种市售口红并得到了芳香胺类化合物的定量测定结果.考察了微波萃取的条件,并将薄层色谱等萃取分离方法和微波萃取法进行了比较,证明微波萃取法在萃取膏状物和蜡状物中的组分时,具有比其它方法更加方便、快速等优点.     

毛细管电泳法评价细胞色素c与单链脱氧核糖核酸库的相互作用

以细胞色素c(Cyt c)为碱性蛋白质模型,建立了毛细管电泳评价Cyt c与3种不同链长的单链脱氧核糖核酸(ssDNA)库相互作用的评价方法,研究了离子强度对Cyt c与ssDNA库相互作用的影响。比较了Cyt c与含有20、40和60个随机碱基序列的3种不同链长的ssDNA库的作用及基于未涂层毛细管和涂层毛细管的毛细管区带电泳方法。因碱性蛋白质在未涂层毛细管管壁上存在吸附,因此利用未涂层毛细管区带电泳不能区别3种ssDNA库与其作用的差异。利用涂层毛细管电泳法,在压力辅助的反向电压下,根据游离ssDNA库的峰面积变化可比较3种ssDNA库与细胞色素c的相互作用差异。结果表明,含有20个随机寡核苷酸链长的ssDNA库与Cty c的作用最强。此外,NaCl浓度显著影响Cyt c与ssDNA60库的作用。在优化的实验条件下,0.02 mol/L NaCl有利于两者的相互作用。调节盐浓度可抑制非特异性静电作用,能提高碱性蛋白质适配体的单轮筛选效率。利用未涂层毛细管电泳分析复合物及游离ssDNA库的峰面积变化,可优化有利复合物形成的盐浓度。     

磁性粒子在蛋白质分离纯化中的应用

磁性粒子与磁性分离技术结合用于生物分子和生物微粒的分离近年来受到了广泛关注。磁性粒子经过适当的表面修饰,可高度选择性地结合目标蛋白,在解决蛋白质的快速分离及高特异性的选择性分离方面具有优势。随着蛋白质组学研究的发展,磁性粒子用于蛋白质分离纯化的研究日渐增多。本文介绍了磁性粒子和磁性分离的基本特点,综述了近5年国内外有关磁性粒子在蛋白质分离纯化中的应用和发展现状。     

短波通信的现状及发展趋势

随着改革开放以及社会主义市场经济体制的建立,我国的经济发展突飞猛进。在这样的背景下,通信行业也得到了快速的发展。通信技术是与社会生活和经济发展密切联系的技术型行业,在近几年的发展中,短波通信技术得到了广泛的应用,尤其是从20世纪80年代以来,使用的数量大大增加。这是因为短波技术与传统的技术相比更加稳定、可靠,使用的效果和期限都会增加。本篇论文主要介绍了短波通信技术的现状以及未来的发展趋势,为短波通信技术的发展以及通信行业的发展提供借鉴。     

Si基CdTe复合衬底分子束外延研究

文章引入晶格过渡的Si/ZnTe /CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错。通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题。在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4. 4μm Si/CdTe (211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe (211)双晶平均水平相当。