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1.
提出了在碱性浆料中 UL SI多层布线导体铜化学机械抛光的模型 ,对铜 CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。  相似文献   
2.
ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘玉岭  梁存龙 《半导体情报》2000,37(5):41-45,61
提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型,对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。  相似文献   
3.
镶嵌钨的化学机械抛光的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘玉岭  梁存龙 《半导体杂志》2000,25(4):40-45,50
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性,化学与机械作用匹配,桨料的悬浮及存放和后清洗等问题。  相似文献   
4.
ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型,对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。  相似文献   
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