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研究了LaB6在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明,电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下,脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中,阴极表面有离子的清洗和活化作用,可以使电极的表面逸出功降低,提高放电管的发射能力和稳定性。LaB6作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点,可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。 相似文献
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采用磁控溅射法在玻璃基片上沉积LaB6薄膜。通过改变溅射功率参数,获得最佳制备工艺条件。采用XPS、X射线衍射仪和分光光度计研究薄膜的成分、结构、晶向以及透过率。当溅射功率为44 W,氩气气压为1.5 Pa,氩气流量为27 sccm时制备的LaB6薄膜表面相对平整,结构致密。 XRD数据也表明,此时LaB6薄膜结晶度最高且(110)晶面发生明显的择优生长。同时分光光度计结果显示:薄膜的透过率随溅射时间的增加而降低,并且最高透过率对应的波长没有发生变化。 相似文献
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方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕鳌合物Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2 .用TPD作空穴传输材料、Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2作发光材料和载流子传输材料、 8-羟基喹啉和铝(AlQ)作电子传输材料,设计了不同电致发光电特性,结果表明 Eu_2(DBM)_4(Sq)phen_2是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光 材料,在器件结构为ITO/TPD,50nm/Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen2,20nm/ALQ,50nm/LiF, 1nm/Al,200nm时,获得了在16V,6.9mA下有最大亮度91cd/m~2的电致发光器件. 相似文献
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采用多晶LaB6材料制成平板二极管阴极,阳极采用钼材料,阴极采用热传导与热辐射加热,加热体为石墨。实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性,并对热发射稳定性进行了分析。结果表明: 在动态真空系统中, 阴极发射面积为0.012 1 cm2, 工作真空度为2×10-4 Pa, 阴极温度分别为1 600, 1 650和1 700 ℃,在脉冲宽度为40 ms、重复频率为107 Hz的条件下,最大脉冲发射电流密度分别为34.0,44.0和53.8 A/cm2; 2×10-4,5×10-4和2×10-3 Pa压强下的发射能力没有明显的差异;脉冲宽度的变化不影响发射电流密度的变化。 相似文献
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采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义. 相似文献