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随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。 相似文献
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适合未来发展的有线电视用户管理系统 总被引：1，自引：0，他引：1
近年来,随着我国广电事业的发展,有线电视已经是城乡电视传播的主要方式;并且随着经济技术的发展,以有线电视网为依托的各类信息服务和增值业务也获得飞速的发展。有线电视作为政治宣传、群众娱乐、各类信息的载体发挥着日益重要的作用。但是由于有线电视网的终端设备即电视机的接入和撤除缺乏可控性,使接入有线电视网管理手段落后,在一定程度上制约了有线电视网的发展,突出表现在收视费用的回收困难上。 现在,有线电视网络运营商的商业化已成共识,解决收费难的问题迫在眉睫。而网络传输数字化,彻底实现条件接收(CA)还需时日;有没有投资少、见效 相似文献
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