排序方式: 共有40条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
A novel anti-jamming integrated CMOS current-sensing circuit for current-mode buck regulators is presented. Based on the widely-used traditional current-sensing structure, anti-jamming performance is improved significantly by adding on-chip capacitors and one-shot circuit. Also the transient response is faster through the introduction of current offset. The circuit is concise, simple to implement and suits for SoC applications with single power supply. A dualoutput current-mode DC-DC buck converter with proposed structure has been fabricated with a 0.5 μm CMOS process for validation. In the 2.5–5.5 V input range, the two channels work steadily in the load current range of 0–600 mA. And the measured maximum efficiency is up to 96%. 相似文献
2.
为了准确表征Love波器件的质点位移和色散关系,提出了一种Love波器件三维建模方案。在Love波器件的三维建模中,该方案用有限数量单元去逼近实际Love波器件的真实物理结构和叉指换能器、波导层等实际载荷工况。通过一个压电基片材料为128°YX-LiNbO3,金属叉指换能器为Al电极,波导层材料为ZnO薄膜的Love波器件三维模型实验,验证了该Love波器件建模方案的可行性。实验结果表明,在49~51 MHz的频率范围内,Love波模态声波的频率为49.072 MHz、49.295 MHz、49.607 MHz和50.062 MHz。在这4个频率处Love波仅存在X方向质点位移的变化,Y和Z方向的质点位移都为0。器件的色散关系为随着角频率增大,Love波的速度逐渐减小。 相似文献
3.
设计了一种基于自适应开启时间(Adaptive On-Time, AOT)控制的电流模buck型DC-DC控制器电路,利用输入电压前馈和输出电压反馈技术来获得开启时间,并提出了一种采样保持和充电时间超前电路实现了开启时间的自适应控制。电流模AOT控制不仅获得了优异的瞬态响应速度,而且克服了电压模开启时间控制的环路稳定性对输出电压纹波的依赖。电流模AOT控制无固定频率峰值电流控制中的亚谐波振荡问题,不需要斜坡补偿。自动跳跃式(Auto-Skip)脉冲频率调制(Pulse Frequency Modulation, PFM)模式有效地改善了轻负载下的转换效率。芯片采用UMC 0.6-μm BCD工艺投片验证,文章最后给出了详细的测试结果。 相似文献
4.
本文设计了一款可以灌入(sink)和拉出(source)3A电流,低电源、低功耗的CMOS低漏失电压线性稳压器。采用电流镜像结Gm(跨导)驱动的LDO架构可以获得高稳定性和快速负载瞬态响应。基于UMC 0.5um标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为1.0mm2。空载时该LDO静态电流为220uA,最大带载3A。测试表明,使用30uF陶瓷电容,在-1.8A到 1.8A 0.1us负载跳变时,该LDO可以在低于2us的时间达到稳态,且过冲小于1mV。 相似文献
5.
针对DC-DC转换系统恒流、恒压及不同限流值的需求,提出了一种外部可调限流型恒流/恒压DC-DC转换系统的设计方案。该方案由外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、锯齿波产生电路、斜坡电流采样电路和逻辑驱动电路构成。系统的输出电流和输出电压确定了一个临界负载电阻值,当输出负载小于此临界值时,系统工作在恒流模式;当输出负载大于此临界值时,系统工作在恒压模式。基于UMC 0.35 μm CDMOS工艺,通过输出恒流为1 A、恒压为3.3 V及外部可调电阻范围在20~120 kΩ的具体实验,验证了该系统的恒流/恒压及外部可调限流功能。 相似文献
6.
7.
设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好. 相似文献
8.
9.
基于可调电荷泵的双模式高压开关控制器 总被引:2,自引:1,他引:1
为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于可调电荷泵的用于TFT-LCD液晶显示的片内双模式高压开关控制器,该控制器能减小液晶显示功耗,减少栅走线和液晶面板之间的耦合效应,其输出延时和下降斜率可调并输入到栅驱动器中,从而避免液晶显示设备错误的显示。该基于可调电荷泵的高压开关控制器的芯片已在UMC0.6μm-BCD工艺线投片,电荷泵输出可调电压范围为10~30V,测试结果证明,高压开关控制器电路工作良好,其面积为0.32mm2,静态电流小于3μA。 相似文献
10.
为了提高驱动效率,设计了一种新颖的适用于BUCK型DC-DC的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵和自适应死区时间控制逻辑的驱动电路。当芯片正常工作时,输出级低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,输出级高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达29.93V,从而实现对DC-DC输出级高端和低端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求。采用此电路的一款电流模BUCK型DC-DC已在UMC06μmBCD工艺线投片,芯片效率高达94%,输出级高端和低端LDNMOS的导通电阻为120mΩ,最大输出电流为5A,该驱动电路工作良好,芯片面积减小了15.4%。 相似文献