排序方式: 共有32条查询结果,搜索用时 656 毫秒
1.
本文介绍了一种改进LC振荡器设计方法,谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进的电路结构可以获得更好的相位噪声。本文基于CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5v。经仿真证明,通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声 相似文献
2.
本文测量了入射能为2–25 keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向 (分别对应出射表面和入射表面) 电子发射产额. 实验中通过改变炮弹离子的能量, 系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献. 结果表明, 离子的势能沉积只对后向电子发射有贡献, 前向、后向电子发射产额分别与Ne2+离子在薄膜出射、入射表面的电子能损近似成正比关系, 其中电子能损很低 (对应于离子能量很低) 的时候, 反冲原子对电子发射的贡献不能忽略.
关键词:
近玻尔速度
电子发射
电子能损
反冲原子 相似文献
3.
为实现红外热波检测对缺陷的定量识别,应用BP神经网络,拟合函数关系来实现定量识别。在脉冲热像中,以最佳检测时间和表面最大温差为输入量,以缺陷的深度和直径为输出量,利用BP神经网络拟合输入量与输出量之间的关系。借助数值计算的方法,提供样本训练神经网络,并进行了30次随机计算。通过结果分析,发现使用BP神经网络进行计算具备以下特点:网络收敛速度并不决定计算的精度;网络训练过程中,是否达到计算目标误差不会对计算精度带来较大影响;该方法具有较好的计算稳定性。针对计算结果分布特点,设计计算方法,对数据中的较大误差点进行剔除,最后使用取均值的方法减小获得较大误差的风险,提高计算精度。计算结果表明,在4个参数的计算中,最大误差为3.32%,最小误差为0.1%,证明BP神经网络方法可以用于实现缺陷的定量识别计算。 相似文献
4.
测量了入射能为1.9~11.3 keV/u的O~(2+)离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的能量和流强,系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明,在本实验的能量范围内,前向、后向电子发射产额与对应表面的电子能损有近似的正比关系,而与束流强度无关。分析还发现引起后向电子发射的动能阈值约为0.2 keV/u,势能电子发射产额约为1 e~-/ion。 相似文献
5.
利用射频磁控溅射方法,使用Mg0. 04Zn0.96O 陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变。在氮流量比为20%时,获得了最好的p型导电薄膜。另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。 相似文献
6.
7.
8.
9.
在兰州重离子加速器国家实验室分别测量了H+, He2+, Ar11+和Xe20+离子轰击Ta表面过程中辐射的X射线谱, 并得到了Ta特征X射线谱中Mγ (M3N5)和Nαβ (M4,5N6,7)线的强度, 即Iγ和Iαβ. 分析结果表明, 强度比值Iγ/Iαβ 随着入射离子原子序数的增加而显著增加, 这是由于碰撞过程中Ta原子的多电离效应使M3支壳层的荧光产额ω3产生了显著增强. 相似文献
10.
介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5V.经仿真证明,在设计中通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声. 相似文献