透明导电ZnO:Al/Cu网格复合膜及其电加热性能

为获得更优性能的无铟透明导电薄膜,需要在不损害薄膜透光性的同时提高导电性能.本文采用紫外光刻和磁控溅射,在Cu网格的表面覆盖Al掺杂的ZnO (ZnO:Al, AZO)薄膜,制备透明导电的AZO/Cu网格复合膜. Cu网格的线宽低至15μm,透光性极高,并且导电性能得到大幅度改善,覆盖稳定的透明导电AZO薄膜为Cu网格提供屏障保护.通过六边形网格形状的设计和工艺参数的优化,制备出的复合膜的可见光波段透过率达到86.4%,方块电阻降低至4.9Ω/sq,同时实现了高透光性和高导电性.成本低廉、光电性能好且环境稳定的AZO/Cu网格复合膜在透明电子领域具有广泛的应用前景,将其用于透明电加热膜,可在较低电压下实现快速、均匀、稳定的电热响应,有望作为透明的面发热膜应用于除雾除霜玻璃、热疗贴膜等.     

高度均一ZnO纳米梭的水热法制备及其性能

以六亚甲基四胺和硝酸锌为原料,采用水热法在90℃条件下反应24h,于Si衬底上制备出一维ZnO纳米梭材料.采用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和高分辨透射电镜等方法对样品形貌和晶体结构进行了表征.结果表明,所得ZnO纳米梭形貌一致、尺寸均匀,为六方纤锌矿型结构,具有良好的结晶性能.对ZnO纳米梭的光致发光性能的研究表明,该...     

按图速修 背投彩电“三无”故障速修(2)

~~按图速修 背投彩电“三无”故障速修(2)@金正 @吕建国 @齐学英     

Room-temperature electroluminescence of p-ZnxMg（1-x）O：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode

p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.     

室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率,并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感.因此,进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性,结果表明,紫外光照将引起较为明显的光响应电流,且经过光照的器件在光源移除7天后,ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象,其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.     

Identification of Acceptor States in Li-N Dual-Doped p-Type ZnO Thin Films

Li-N dual-doped p-type ZnO （ZnO：（Li, N）） thin films are prepared by pulsed laser deposition. The optical properties are studied using temperature-dependent photoluminescence. The Lizn-No complex acceptor with an energy 1evel of 138 me V is identified from the free-to-neutral-acceptor （e, A0 ） emission. The Haynes factor is about 0.087 for the Lizn-No complex acceptor, with the acceptor bound-exciton binding energy of 12meV. Another deeper acceptor state located at 248 meV, also identified from the （e, A0） emission, is attributed to zinc vacancy acceptor. The two acceptor states might both contribute to the observed p-type conductivity in ZnO：（Li,N）.     

射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的微结构及其光学性能

采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10:40,20:40,30:40,40:40.利用X射线衍射仪、表面轮廓仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了样品的微结构与光学特性.研究表明:氧氩流量比为30:40的样品结晶质量最好.所制备的ZnO薄膜的可见光平均透射率均大于87;.随着氧氩流量比的增大,薄膜的透射率呈非单调变化,氧氩流量比为30:40的样品在可见光范围的平均透射率可达93;.光学带隙随着氧氩流量比的增大,先增大后减小.与块材ZnO的带隙(3.37 eV)相比,ZnO薄膜的带隙均变窄.     

溶胶-凝胶法制备Mg掺杂ZnO薄膜的微结构与光学性质

采用溶胶-凝胶技术在Si(111)和石英玻璃衬底上制备了Mg掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试薄膜的微结构、表面形貌和光学性质.结果表明:所得Mg掺杂ZnO薄膜仍为六角纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,随着退火温度升高,薄膜的晶格常数c由0.5288 nm减小到0.5278 nm,粗糙度从3.8 nm增大到6.5 nm,光学带隙由3.26 eV增大到3.31 eV.     

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.     

脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性

采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.