InSb红外探测器结构杜瓦瓶烘烤放气分析

一、前言大部分红外探测器都在低温、真空环境下工作,需要致冷器。红外探测器结构杜瓦瓶(以下简称杜瓦瓶)是致冷器的一种,它既是探测器的组成部分,又是致冷剂的贮存装置。杜瓦瓶内残余气体种类和数量直接影响探测器的性能和致冷剂贮放时间。杜瓦瓶一般分为金属和玻璃两种类型,玻璃类型用得较多。为了保证杜瓦瓶的静态真空度,同一般电真空器件一样,必须选材合理、密封可靠、除气彻底、消气有     

关于YAG:Nd晶体的生长速率问题

钇铝石榴石晶体的研究是从1951年开始的。自1964年YAG:Nd晶棒在贝尔实验室用于激光器后,有了很大发展。国外在研究YAG:Nd激光器同时,十分重视晶体的基础研究。正因为如此,1968年在完成     

红外晶体Hg_(1-x)Cd_xTe的斑缺陷

前言近代红外探测器件的重要材料Hg_(1-x)Cd_xTe晶体是一种HgTe-CdTe组成的连续固溶体。从HgTe-CdTe膺二元系相图看,由于液线与固线分离比较宽,CdTe有很大的分凝。由于分凝效应,Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的化学组份无论轴向或径向分布都存在着不均匀性。因此,有时在晶体的局部存在着难以消除的缺陷。其中最常见的是斑缺陷。这种斑缺陷在金相显微镜下观察时,往往呈现发亮的斑痕形貌。所以,国内的研究通常称之为“亮斑”。而在国外研究     

用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷

用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前,     

富碲碲镉汞液线温度的测量——富碲碲镉汞相图研究之一

由于碲镉汞单晶在熔体生长中比较难于获得符合化学计量比的晶体,常常由于晶体的组份不均匀性和晶体结构的不完整性造成器件研制工艺的困难。碲镉汞晶体组份的不均匀性及结构不完整性主要是由于在晶体生长中的高汞压以及赝二元系固液相线的距离宽所致。为了克服上述困难,近年来国外连续发表了有关液相外延生长碲镉汞的方法,同时发表了有关富碲三元系碲镉汞液相外延研究工作,并报导了有关富碲角碲镉汞相图的资料。在富碲角相图的研究中最先应该解决的是富碲碲镉汞合金的凝固点的测量问题。正如我们在发表赝二元系碲镉汞相图前曾对碲镉汞合金材料的熔点进行测定一样,这个问题的解决对富碲碲镉汞相图研究同样是个     

MOCVD法在GaAs衬底上生长CdTe的研究

本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。所采用的有机金属源——二甲基镉和二乙基碲及其包装鼓泡钢瓶,是化工部光明化工研究所首次研制成功的。     

富Te碲镉汞母液的动态液相温度测量

掌握富Te碲镉汞母液的动态液相温度,对提高外延生长成膜率具有重要意义。本文报道在碲镉汞液相外延生长动态环境中,应用差热分析法测定母液的液相温度。动态测量会遇到许多问题:1)母液的熔化和降温生长时,汞压的变化而引起母液组分的变化2)附加汞的存在,氢气流不易控制而造成压力的变化,导致测量不易获得良好的重     

我国窄禁带半导体器件和材料理化研究近况——对第五届全国红外技术交流会议中部分理化研究报告的评述

第五届全国红外科学技术交流会议期间发表的论文中,关于红外探测器和材料研究理化分析方面的论文约占30％,即每三篇就有一篇是理化分析方面的论文。这标志着国内红外科技的迅速发展中作为基础研究的理化分析工作正在深入发展。本届交流会上光电材料器件方面的理化分析文章五倍于热电方面。这表明人们主攻的目标是开展窄禁带半导体的基础研究。因而本文将主要对窄禁带半导体材料和器件基础研究中的理化分析工作加以介绍,对热电器件和材料不作叙述。     

用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体

1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单晶的生长进行了多次试验,证实这种方法是一种高精度的薄膜生长技术。1971年Manasevit和Simpson最先报导了采用MOCVD法生长Ⅱ-Ⅵ化合物晶体     

碲熔剂法生长Hg_(1-x)Cd_xTe熔点测量

红外器件材料Hg_(1-x)Cd_xTe是CdTe,HgTe两种化合物以化学计量比配制的连续固溶体。这种三元合金半导体在生长中存在一系列问题。为获得一定波长的红外器件,必须把生长的晶体控制在响应波长所对应的组份均匀、结构完整而且具有一定电学性能的化学配比范围内。但是,目前所依据的Hg_(1-x)Cd_xTe膺二元系相图并不完全一致。为研究膺二元系碲镉汞晶体的相图,使用了热分析法对我所生长的加入过量碲作熔剂的碲镉汞晶体的熔点进行了测量。应用差热分析方法测量物质的熔点,这是热分析方法常用的手段。但对于碲镉汞材料来说,确实存在着相当的困难。首先,由于碲镉汞材料在熔化过程中汞的挥发,造成熔点测量操作上的困难。其次,由于汞的挥发带来x值的相应改变,使得测量不能获得良好的再现性。第三,由于碲镉汞晶体熔点