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氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。
关键词: 相似文献
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电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔 相似文献
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报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
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GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解决了p型掺杂的困难,从而制成了高功率的发光二极管. 目前生长GaN比较成功的方法是使用有机气体氮源的金属有机物化学汽相淀积.但它所生成的是纤锌矿(六角)结构,而且是生长在蓝宝石衬底上.生长温度也高达1000℃.要使得GaN材料有可能实用,需要采用低温生长的分子束外延(MBE)技术,并在GaAs,Si等半导体衬底上生长出闪锌矿(立方)结构的GaN薄膜.这样才有可能最终解决p型… 相似文献
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温度:影响多孔硅光学特性的一个关键参数 总被引:1,自引:1,他引:0
The optical properties of porous silicon(PS) samples fabricated by pulse etching in a temperature range from-40 to 50-C have been investigated using reflectance spectroscopy,photoluminescence spectroscopy,and scanning electron microscopy(SEM).The dependence of the optical parameters,such as the refractive index n and the optical thickness(nd) of PS samples,on the etching temperature has been analyzed in detail.As the etching temperature decreases,n decreases,indicating a higher porosity,and the physical thickness of PS samples also decreases.Meanwhile,the reflectance spectra exhibit a more intense interference band and the interfaces are smoother.In addition,the intensity of the PL emission spectra is dramatically increased. 相似文献