Calculation of scanning tunnelling microscopy images for Kr/graphite system

The scanning-tunnelling-microscopy (STM) images of Kr atoms adsorbed on a monolayer graphite sheet (Kr/graphite system) are calculated using the first-principle total-energy electronic structure calculations within the density functional theory in the local density approximation. The results obtained agree well with the observations. It is found that the optimal site of the adsorbed Kr atom is at the top of the centre of the carbon hexagon, and its equilibrium distance from monolayer graphite surface is about 0.335nm. It is shown that the hybridization of C 2p electronic states (π-electronic states) and Kr 4p and 5s electronic states is the main origin of the Fermi-level local density of state.     

原子的解析波函数 Ⅴ.第三周期元素正常态原子的解析波函数与能量积分的计算

本文提出了两套简单适用的正交归一化单电子的解析径向波函数,对第三周期元素正常态原子进行了系统的计算。采用变分法和逼近法定出解析径向波函数的最佳参数;并对各电子的能量积分和原子的总能量进行了系统的大量计算。结果表明,其原子的总能量值都很接近哈特里——福克的自洽场和用复杂的watson波函数的计算值。     

电解水系统的简易量热方法研究

在电解液沸腾状态下，采用自行研制的专利设备和简单的计算方法，分别对轻水和重水系统进行了过驱动量热实验和计算．计算结果表明，在类似的条件下，重水系统产生的反常“过热”量高达40％，而轻水系统则没有“过热”；旧的钛阴极能产生较大的“过热”量，而且产生等量的“过热”所需的电功率也较小。     

碳、氮、氧、氟和氖原子多重态的六参数波函数与能量计算

本文采用文献中的六参数波函数,使用文献的《原子能量积分数值表》和部分补充数据,对碳、氮、氧、氟、氖各原子多重态进行了系统的计算,得到了较准确的能量值以及波函数的最佳参数值。亦验证了这套波函数对合多P电子的原子系统的特殊适用性。     

高温高密度条件下CH_4气体分子间的排斥势函数与二级维里系数的理论计算

本文采用文献[1]所给出的关于甲烷分子的单中心球对称类氖波函数,从理论上计算了CH_4—CH_4分子间的排斥势函数和高温高密度条件下CH_4气体的二级维里系数。     

慢电子被硅烷分子散射的总截面和动量转移截面的计算

我们用SiH_4的单中心类氩波函数推导了投射电子与SiH_4之间相互作用势的解析表达式,其中包含了投射电子与硅烷分子间的静态库侖相互作用、极化作用及交换作用。我们应用上述解析表达式计算了投射能量从0.05eV到20eV范围内的电子在SiH_4场中运动的畸变波函数、分波相移(1≤5)、分波截面、总截面和动量转移截面,得到Ramsauer—Townsend极小值在0.25ev附近。     

排列通道的量子力学——Ⅰ、双原子分子基态势能曲线的理论计算

从Lippmann-Schwinger积分方程开始,然而用格林算符方法,重新推导了排列通道的量子力学(ACQM)的基本方程。在ACQM中增加了基于微观过程原理的通道选择原则。H_2~+,H_2,H_2~+和HeH~+基态势能曲线的理论计算令人满意地符合于RKR势能曲线。从本文可以看出,ACQM在量子化学中有广阔的应用前景。     

H^—与H及He^＋与He相互作用势能曲线的理论计算

采用通道耦合（ＣＣＱＴ）方法，并根据文献〔１〕提出的电子瞬时配对的平均效果形成未饱和共价键的物理模型来划分通道，分别对Ｈ２＾－和Ｈｅ２＾＋进行了计算，得到了较准确的基态能量和与实验相吻合的平衡距离，给出了Ｈ＾－与Ｈ及Ｈｅ＾＋与Ｈｅ相互作用势能曲线。文内体现了这样一个特点：好的物理模型结合好的方法能使较为复杂的问题得到大大简化。