巯基乙酸锑配合物的合成与X射线粉末衍射数据指标化

一些锑和铋的配合物可以应用于医药研究[1,2 ] ,已合成了许多锑的有机配体配合物[3～ 7] ,但其中大多数没有生物活性。因此 ,研究锑或铋离子的配合物不仅对主族元素化学、生物无机化学而且对医药都有着非常重要的意义。我们用三氯化锑与巯基乙酸液相反应法合成的二巯基乙酸锑 (Ⅲ)配合物 ,其组成为ＨＳｂ(ＳＣＨ2 ＣＯＯ) 2 ,用Ｘ射线粉末多晶衍射数据指标化来研究配合物晶体结构[8] 。1　实验部分1 1　仪器与试剂ＥＡ - 1 1 0 6型元素分析仪 (意大利卡拉欧巴公司制造 ) ,Ｄ Ｍａｘ -ＹＢ型多晶Ｘ射线粉末衍射仪(日本理学 ,ＣｕＫα射线 ,…     

重油催化裂化汽油中含氮化合物的分析

利用酸萃取技术浓缩分离重油催化裂化（RFCC）汽油中的氮化物，比较了两种萃取剂和两种油剂比对分离效果的影响，结果发现选用10％（体积分数）HCl作萃取剂，油剂比为10：1（体积比）时，碱性氮化物的提取率较高；浓缩分离出的氮化物用色谱－质谱联用方法对其进行了检测，结果表明RFCC汽油中的氮化物主要是C0－C2苯胺及少量吡啶类、喹啉类碱性氮化物。     

四君子汤和四物汤微量元素含量研究

通过了解中药“四君子汤”和“四物汤”中微量元素含量的异同,研讨了微量元素和中医“气血”理论之间的关系。实验表明,“四君子汤”和“四物汤”在微量元素的含量方面,有一定的类同和差异。该现象同中医的“气血”理论有非常相像的地方。同时发现中药中的微量元素在煎煮过程中,并不是同想象的一样匀速进入药液,而是不同的元素在不同的时间段不同的批次进入药液,这也提示中药煎法理论有一定依据。由于目前做的实验还少,本实验留下很多问题和疑点,值得进一步做有关的实验和研究。     

FTIR及Py-GC/MS定性分析高聚物单体

红外光谱反应出的是特征化学基团的振动 ,对于高聚物的具体单体组成分析 ,只能借助于紫外光谱、核磁共振及质谱进行综合判断才能得到圆满的鉴定结果[1,2 ] 。本工作针对在红外光谱仪不能分辨的情况下通过气相色谱 质谱联用技术进行综合分析鉴定 ,结果可为其它高聚物分析研究提供实验依据。1　实验1 1　仪器及试验条件未知高聚物试样为白色颗粒状 (晨光化工二厂 )。ＳＹＳＴＥＭ2 0 0 0ＦＴＩＲ ,ＰＥ公司造ＩＲ谱仪 ;ＣＤＳ2 0 0 0铂金丝裂解器 ,裂解室温度 2 5 0℃ ,裂解温度 6 0 0℃ ,升温速率 1 40℃ ｍｓ;ＨＰ6 890型 ,Ｃｏｍｐｏｎｄ…     

中子成像技术在元素分析中的应用

中子成像作为一种快速、直观的无损检测技术,在核工业、航空航天、新能源、地质、考古、先进制造等多个领域得到广泛应用。中子成像利用中子不带电、穿透能力强、对轻元素敏感、可区分同位素和近邻元素等特性,非常适合开展含氢元素、近邻元素和同位素等材料的无损检测。本文概述了中子成像技术的基本原理及特点,并结合中国先进研究堆(CARR)中子成像装置上的应用案例, 重点介绍了国内外中子成像技术在储氢材料、燃料电池、岩石、核燃料元件、古代文物等领域的典型应用。随着中子成像技术的不断发展和广泛应用,有望为我国更多领域研究提供更强有力的技术支撑。     

μs级充电时水介质同轴电容击穿实验研究

 研制了水介质同轴电容的实验装置，在此装置上进行了大量的实验。测得μs级充电时，水介质同轴电容分别在正脉冲和负脉冲充电时的击穿电压，负击穿电压的理论值与测量值相差较大，正击穿电压的理论值大于测量值的18%左右，对此实验结果进行了分析。此外，当去离子水的电阻率从13MΩ·cm降到5 MΩ·cm时，水介质同轴电容器的击穿电压基本不变。     

高反射膜激光零几率损伤阈值的实验研究

在确定光学薄膜激光损伤阈值的实验数据处理过程中,发现一些样品的数据点分布偏离直线型式。对此,用国际标准规定的零几率来确定损伤阈值的同时,对测试数据点采用了不同的非直线拟合,也得到一个零几率损伤阈值。比较两者差异,并与实验测试结果对照,发现这些样品采用非直线拟合得出的零几率损伤阈值与实际情况更接近一些。     

pH值对KDP晶体中散射颗粒的影响

探讨了不同pH值对KDP晶体散射颗粒的影响。结果表明,不同pH值生长条件下生长的KDP晶体中散射颗粒的尺寸、密度呈现明显差异,pH值为5.5条件下KDP晶体中散射颗粒尺寸明显变大,分布稀疏;pH值为2.0时,散射颗粒密度高,尺寸小。其原因在于形成散射的杂质颗粒的存在形式不同。     

强激光远场焦斑重构算法研究

通过CCD图像采集单元结合传统的列阵相机测量高功率固体激光器的远场焦斑分布,采用图像处理技术的边缘算子提取焦斑的几何中心,提出通过几何中心对心的焦斑嵌套重构算法,解决了光斑饱和时的对心难题,实现了快捷准确测量激光焦斑,为激光器的实时控制提供参考数据。     

热处理条件对PVA薄膜阻氢性能的影响

采用XRD测定了PVA薄膜在不同热处理条件下的结晶度,并用自行设计的渗氢系数测量系统研究了在不同热处理条件下的PVA薄膜阻氢性能的变化规律。结果表明,PVA薄膜的热处理温度越高,其结晶度越高,越有利于提高PVA薄膜的阻氢性能,但热处理温度宜选择在180℃以下,以防止PVA薄膜热降解,另一方面,在PVA的玻璃化转变温度以下进行热处理同样能够提高PVA薄膜的阻氢性能,而醇解度较低的PVA薄膜在玻璃化转变温度以下经热处理后的阻氢性能提高的幅度较大。