首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13026篇
  免费   2444篇
  国内免费   2544篇
化学   10448篇
晶体学   254篇
力学   680篇
综合类   214篇
数学   1451篇
物理学   4967篇
  2024年   30篇
  2023年   250篇
  2022年   420篇
  2021年   555篇
  2020年   590篇
  2019年   614篇
  2018年   497篇
  2017年   553篇
  2016年   705篇
  2015年   702篇
  2014年   881篇
  2013年   1113篇
  2012年   1242篇
  2011年   1260篇
  2010年   989篇
  2009年   950篇
  2008年   1043篇
  2007年   891篇
  2006年   844篇
  2005年   695篇
  2004年   518篇
  2003年   423篇
  2002年   413篇
  2001年   373篇
  2000年   261篇
  1999年   221篇
  1998年   190篇
  1997年   144篇
  1996年   114篇
  1995年   104篇
  1994年   83篇
  1993年   63篇
  1992年   49篇
  1991年   48篇
  1990年   51篇
  1989年   37篇
  1988年   19篇
  1987年   12篇
  1986年   18篇
  1985年   13篇
  1984年   6篇
  1983年   8篇
  1982年   5篇
  1981年   3篇
  1979年   3篇
  1977年   2篇
  1975年   2篇
  1959年   2篇
  1957年   1篇
  1936年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
代数体函数的定理   总被引:9,自引:0,他引:9  
孙道椿  高宗升 《数学学报》2006,49(5):1027-103
本文定义并研究了代数体函数的加法.结合杨乐的方法,将仪洪勋联系重值的亚纯函数唯一性定理推广到多值的代数体函数.  相似文献   
42.
中物院远红外自由电子激光实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.  相似文献   
43.
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory.  相似文献   
44.
α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006  相似文献   
45.
结合原子核的电荷半径的实验数据,详细分析了描述原子核电荷半径的经验公式,表明电荷半径的Z1/3律优于A1/3律.更细致的考察发现,对于远离β稳定线的核素,电荷半径具有近似线性的同位旋相关性.由此得到的同位旋相关的Z1/3公式更适合描述原子核的电荷半径.  相似文献   
46.
NO-2-I-体系双波长紫外分光光度法测定痕量亚硝酸根   总被引:2,自引:0,他引:2  
在稀盐酸介质中,亚硝酸根氧化碘化钾的反应产物I-3在288nm和352nm处有两个强吸收峰.基于此建立了双波长紫外分光光度法测定痕量NO-2的新方法.该法简便、快速、选择性好,线性范围为0-0.4μg/mL,检出限为3.4×10-9g/mL.用于河水、井水、矿泉水中亚硝酸根的测定,结果令人满意.  相似文献   
47.
本文得到了极大算子的几个不等式,并从这些结果推广了函数f∈L_(loc)~1(R,dx)属于VMO(R,dx)的一个必要条件。  相似文献   
48.
王薇  张杰  赵刚 《物理学报》2006,55(1):287-293
利用辐射流体力学程序对三倍频纳秒激光与靶物质相互作用进行了模拟研究,得到了可以产生黑体辐射谱分布的激光等离子体X射线辐射靶的最佳厚度;数值模拟研究了黑体谱分布的X射线辐射场对等离子体系统平均离化度分布的影响,它有助于深入理解天体物理中吸积盘对它周围星际物质的离化影响. 关键词: 辐射流体力学 激光等离子体 X射线辐射 吸积盘 离化  相似文献   
49.
50.
利用关于乘积分布密度的相对熵和相对熵率的概念,建立了相依连续型随机变量序列关于参考微分熵的一类强偏差定理,证明中给出了将Laplace变换应用于微分熵强偏差定理的研究的一种途径.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号