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991.
本工作用X射线衍射技术示差扫描量热法(DSC)和内耗测量等手段研究金属-类金属非晶态合金Pd80Si20和Pd77.5Cu6Si16.5中子辐照前后的微观结构变化。结果表明,辐照在两种样品的对关联函数g(r)以及径向分布函数RDF(r)上都引起明显的变化;辐照后样品的晶化温度和晶化热有所提高,结构变得更加无序,Pd80Si20非晶态合金的内耗在T关键词:  相似文献   
992.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.  相似文献   
993.
The S-parameters of several different quantum well double barrier diodes have been measured. A technique has been developed for measuring whisker contacted diodes with and HP 8510B automatic network analyzer. Special coaxial mounts using K-connectors were designed to enable measurements up to 20 GHz. The voltage-dependent conductance and capacitance were derived from the measured reflection coefficient of each device. The C/V characteristics were observed to exhibit an anomalous increase at voltages corresponding the the negative differential resistance region (NDR). These are the first reported S-parameter measurements in the negative differential resistance region of quantum well double barrier diodes. A theory is presented that explains, in part, the observed results.  相似文献   
994.
Summary We report on novel optical techniques, based on evanescent waves, for the characterization of polymer surfaces and thin films. We first describe photo-ablation studies with polysilane films investigated by surface plasmon microscopy, a technique which is particularly well-suited for ultrathin samples. Thicker films that are homogeneous enough to carry optical waveguide modes can be characterized with high lateral resolution by the recently developed waveguide microscopy. We demonstrate this for a thin film of a solid polyelectrolyte. Finally, we report on surface plasmon field-enhanced Raman-spectroscopic and -imaging investigations of ultrathin Langmuir-Blodgett-Kuhn-layers of cadmium arachidate.W. Hickel is now with HOECHST AG, Angewandte Physik, W-6230 Frankfurt 80  相似文献   
995.
用电子顺磁共振方法研究了一些高温超导氧化物样品的零场非共振吸收信号和正常的ESR共振信号。认为这种方法可以作为鉴别样品进入超导态的实验判据之一。利用零场非共振吸收实验给出的下临界磁场Hc1(T)很好地遵多Hc1(T)=Hc1(0)(1-T&^2/Tc^2)。  相似文献   
996.
Past cellular automata models of self-replication have always been initialized with an original copy of the structure that will replicate, and have been based on a transition function that only works for a single, specific structure. This article demonstrates for the first time that it is possible to create cellular automata models in which a self-replicating structure emerges from an initial state having a random density and distribution of individual components. These emergent self-replicating structures employ a fairly general rule set that can support the replication of structures of different sizes and their growth from smaller to larger ones. This rule set also allows “random” interactions of self-replicating structures with each other and with other structures within the cellular automata space. Systematic simulations show that emergence and growth of replicants occurs often and is essentially independent of the cellular space size, initial random pattern of components, and initial density of components, over a broad range of these parameters. The number of replicants and the total number of components they incorporate generally approach quasi-stable values with time.  相似文献   
997.
研究了无限的NF-环及有限的NF-环,并且给出了有限NF-环的构造.  相似文献   
998.
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4 关键词:  相似文献   
999.
在生命体系内正铁色素具有摄铁和输铁的功能,人工合成的模拟化合物具备了正铁色素的主要功能基团和相近的性质.本工作利用铁(Ⅲ)离子的顺磁性质,测定不同铁(Ⅲ)离子浓度下模拟正铁色素的诱导弛豫时间,根据简化了的Solomon—B1oemoergen公式,计算出铁(Ⅲ)离子到所有被测质子(即氢原子)的相对距离,比较清楚地得到模拟正铁色素在溶液中的构象。  相似文献   
1000.
胡响明  汪德新 《物理学报》1992,41(3):437-441
本文采用朗之万量子理论获得光抽运双光子激光具有双光子损耗时的朗之万方程,进一步获得稳态平均光子数、频率牵引、线宽和动态斯塔克效应,对激光增益来源的分析表明,非相干抽运仅有单双光子两步过程有贡献,而相干抽运,除上述过程外还有单双光子一步过程有贡献,而且,上述两个过程都受到负反馈和饱和因子的制约,线宽与稳态平均光子数无关。 关键词:  相似文献   
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