同步辐射讲座第一讲 同步辐射XAFS实验站及其应用

介绍了北京和合肥同步辐射XAFS实验站的性能参数和结构, 及在物理，化学，材料和生命科学等研究领域的应用，便于国内广大用户更好地利用其开展高质量的研究工作。     

邻菲咯啉荧光熄灭法测定铜

研究了在pH 6 2 5～ 7 5 5KH2 PO4 Na2 HPO4 缓冲介质中 ,铜与邻菲咯啉形成配合物而使荧光熄灭的实验条件 ,建立了荧光熄灭法测定微量铜的新方法。该方法的λex =2 6 6nm ,λem =36 8nm ,铜含量在 8～ 30 0ng·mL- 1 范围内 ,有良好的线性关系 ,相关系数r=0 9996 ,检出下限为 10 4ng·mL- 1 。用本法经巯基棉分离测定了环境水样中的微量铜。     

Reverse saturable absorption of a novel rhodamine-B cation fulleride salt at 532 nm

A novel rhodamine-B cation fulleride salt was synthesized by metathetical reaction. Its tetrahydrofuran solution was prepared and the fluence-dependent transmission was measured with 10-ns 532-nm laser pulses in a collimated optical setup. With increases in the input fluence, its transmittance decreased significantly, which indicated reverse saturable absorption behavior. For comparison, the input fluence-dependent transmittance of fullerene C₆₀ and rhodamine-B solution were also measured. The nonlinear optical limiting effect of the fulleride salt in tetrahydrofuran is slightly lower than that of C₆₀ in toluene and the explanations are provided. Received: 25 August 2000 / Accepted: 6 November 2000 / Published online: 3 April 2001     

基于集值统计的模糊神经网络专家系统及其应用

建立基于集值统计的模糊神经网络专家评审系统，并应用于科研项目评审工作，实际应用表明该系统是可行的。     

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明，用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高，而且具有良好的（111）结晶取向性，晶粒尺寸大于300nm，样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理. 关键词： 电感耦合等离子体CVD Al诱导晶化 Si薄膜 低温生长     

多条形电极束流能散度探测器的张角优化

 采用Surperfish对北京正负电子对撞机的多条形电极束流能散度探测器进行了电磁场模拟计算。在带模拟束流的情况下，计算分析了探测器对束流位置和能散度的分辨能力与电极张角之间的关系，首次计算了条形电极间的电容耦合综合强度。电极张角优化结果表明：在不考虑噪声水平的情况下，电极张角为20°时，探测器的灵敏度和分辨率达到最优。而当噪声影响很大时，可以适当增加电极张角，同时考虑减小噪声的措施。     

二极管激光阵列在Talbot外腔中同相模的选择

 从理论和实验上对二极管激光阵列在Talbot外腔中的锁相进行了研究。在同相模和异相模近场分布的基础上，利用1维情况下的菲涅耳衍射公式计算了其远场分布。根据同相模和异相模在Talbot腔中的分布特性，采用1/2 Talbot腔并将外腔镜倾斜一个角度a的方法既能选择同相模，又能使模式的功率损耗最小。二极管激光阵列芯片采用CD金刚石材料,“三明治”结构对其进行封装，明显地减小了阵列的“smile”效应。在实验中实现了二极管激光阵列同相模的锁相输出，远场单瓣模的半高全宽为0.11 mm。     

氧化锌及纳米氧化锌研究进展

ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力.纳米ZnO表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学、化学等性质,是目前纳米材料的研究热点之一.本文介绍了ZnO和纳米ZnO的一些基本性质,综述了近年来纳米ZnO的合成以及应用等方面研究的一些进展.     

Li2O-2B2O3熔体的物性研究

系统测量了四硼酸锂(Li2O-2B2O3)熔体的密度ρ、表面张力γ随着温度的变化规律,实验结果表明在1100K到1500K范围内Li2O-2B2O3高温熔体的密度和表面张力随着温度的升高均线性减小.通过实验数据拟合得出熔体密度与温度关系为ρ(T)=2.574-4.89×10-4T,熔点处LiO-2B2O3熔体的密度为1.992g/cm3;熔体表面张力与温度关系的拟合公式为γ=262.8-4.59×10-2T.