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101.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
102.
使用“对称性匹配簇-组态相互作用”方法,对Li2分子三重态的第一激发态、LiH分子的基态、单重态的第一和第二激发态的几何构型与谐振频率进行了优化计算.利用“群操作求和”方法分别对这4个态进行单点能扫描计算,并拟合出了相应各态的Murrell-Sorbie势能函数.使用多种方法对Li2H分子的基态结构进行优化,并用优选出的密度泛函(B3P86)方法对该分子进行了进一步的频率计算.结果发现Li2H分子的基态稳态结构为C2v构型,在此基础上用多体项展式理论导出了它的解析势能函数,其等值势能图准确再现了Li2H分子的结构特征和离解能.首次报导了该分子对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点,对应于反应LiH Li→Li2H,活化能大约为18.7×4.184 KJ/mol. 相似文献
103.
本文研究了一维模型分子离子(初态为基态和一个激发束缚态叠加的相干态)在超强超短激光脉冲作用下的谐波发射谱.我们发现在高次谐波谱平台区域出现了周期性的结构变化.我们利用小波变换对谐波谱进行了暂态时间频率分析,结果表明该谐波结构产生的原因是由电离电子返回母离子时与不同束缚态复合而产生的谐波光脉冲之间相干叠加.同时采用半经典计算,对所得到的计算结果进行了分析,验证了我们的结论. 相似文献
104.
105.
一种供应链中的知识管理绩效评价方法研究 总被引:7,自引:0,他引:7
作为知识管理的重要组成部分,知识管理绩效评价旨在帮助企业找出影响绩效提高的关键因素并及时采取有效措施,提高知识管理水平。本文从创造顾客价值、知识的获取能力、知识的共享与传播能力、知识的运用水平、知识的存量水平和知识管理平台等六个方面,分析了评价供应链的知识管理绩效应考虑的主要因素,建立了供应链的知识管理绩效评价指标体系,在此基础上,提出了运用D-S证据推理方法,对供应链知识管理绩效进行评价,并给出了证据推理的算法步骤,最后通过算例分析,说明该方法的有效性、实用性。 相似文献
106.
Flat-top interleavers with chromatic dispersion compensator based on phase dispersive free space Mach-Zehnder interferometer 总被引:2,自引:0,他引:2
In this paper, novel interleavers using circular cavities (CC) in a Mach-Zehnder interferometer (MZI) has been presented and demonstrated for the first time, in which CCs act as phase dispersive mirrors which exhibit a periodic dependence on the frequency of light. Three implementation schemes have been proposed and investigated. Theoretical analysis shows the spectral characteristics of each scheme in a 50-GHz channel spacing application. Furthermore, the chromatic dispersion (CD) of each output comb can be flattened within passband by appending an additional CC. The result shows that the proposed designs with novel interferometer technique can simultaneously provide flat top passbands, high isolation stopband and low CD value as well. 相似文献
107.
半个世纪以来,对半导体技术的深入研究和广泛应用推动了电子工业和信息产业的迅速发展。目前半导体技术正向高速度、高集成化方向发展,但这也不可避免地引发了一系列问题,例如电路中能量损耗过大导致集成片发热,如何进一步将电子器件小型化等。人们由此感到半导体器件的能力已基本达到了极限,转而把目光由电子投向了光子,因为光子有着电子所不具备的优势:速度快,彼此间不存在相互作用,一旦实现用光子替代电子传递信息, 相似文献
108.
采用提拉法生长出了掺钕钨酸铋钠[Nd∶NaBi(WO4)2,简称Nd∶NBW]和掺钕钨酸钇钠[Nd∶NaY(WO4)2,简称Nd∶NYW]晶体,并给出了制备无开裂优质Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的最佳生长工艺参数。从XRD分析得到Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的晶胞参数,并分析了晶体的拉曼光谱,认为二者结构基本相同,为四方晶系、白钨矿结构、I41/a空间群。由吸收光谱可以看出,Nd∶NBW在802nm有较强的吸收峰,Nd∶NYW在804nm、752nm、586nm附近有较强、较宽的吸收峰,二者均适合于LD泵浦;计算了晶体中Nd3+的吸收截面积。 相似文献
109.
在backstepping程序中,把非线性自适应控制和鲁棒控制连接起来,为参数化的严格反馈系统在不确定性存在的情况下,建立了一种鲁棒自适应控制方案.非线性自适应控制被用来处理系统的线性参数化部分,而鲁棒控制通过引进非线性阻尼项被用来处理不确定性部分.与现有的方案不同,作者给出了非线性阻尼项的无限种选择,而不是仅仅一种选择.通过使用一种合适的选择,能够设计一个鲁棒自适应控制器.它不仅能够保证对不确定性的鲁棒性,而且能够使输出误差任意小,以及用较小的控制努力取得较好的性能. 相似文献
110.
掺杂Er^3+的TiO2的发射光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用无水乙醇、冰醋酸、钛酸丁酯凝胶法制备了掺杂Er^3+的TiO2粉末,测量了其在488m激发下的Stokes发射光谱和980nm激发下的上转换发光光谱。在可见光范围内,观察到了绿光和红光,绿光从500-570nm,对应Er^3+的^2H11/2,^4S3/2→^4I15/2,红光从650~690m,对应Er^3+的^4F9/2→^4I15/2的跃迁。由ln Ivis-In Iin曲线可知,绿光和红光均为双光子过程,光强正比于泵浦功率的二次方,即Iout ∝Iin。初步研究了此材料的上转换过程。 相似文献