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101.
F. R. Ling B. Wang T. Geng S. Q. Fang W. Yuan D. D. Teng C. X. Guan 《Optics & Laser Technology》2004,36(7):541-544
In this paper experimental studies of nonvolatile photorefractive holographic recording in Ce:Cu:LiNbO3 crystals doped with Sc(0,1,2,3 mol%) were carried out. The Sc:Ce:Cu:LiNbO3 crystals were grown by the Czochralski method and oxidized in Nb2O5 powders. The nonvolatile holographic recording in Sc:Ce:Cu:LiNbO3 crystals was realized by the two-photon fixed method. We found that the recording time of Sc:Ce:Cu:LiNbO3 crystal became shorter with the increase of Sc doping concentration, especially doping with Sc(3 mol%), which exceeds the so-called threshold, and there was little loss of nonvolatile diffraction efficiencies between Sc(3 mol%):Ce:Cu:LiNbO3 and Ce:Cu:LiNbO3 crystals. 相似文献
102.
103.
HaiHuiXIE XiaoYiWEI JiDongWANG MeiFangLIU RenZhouYANG 《中国化学快报》2003,14(6):588-590
A New Annonaceous acetogenin,squamostolide(1),was isolated from the seeds of Annona squamosa.Its structure was elucidated based on spectroscopic methods and comparison with known compounds.It is the first example of Annonaceous acetogenin with each of the two ends of the aliphatic chain bearing a γ-lactone.Thenew compound exhibited cytotoxic activity in vitro against bel-7402 and CNE2 human tumor cell lines. 相似文献
104.
F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线 总被引:1,自引:0,他引:1
通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用,可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态,退激时,辐射出能量为4.9eV的光量子,其波长为253.7nm. 相似文献
105.
106.
应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时,如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化,则认为 系统发生随机分岔为定义,分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明,广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具,这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展.
关键词:
随机分岔
全局分析
广义胞映射方法
随机吸引子
随机鞍 相似文献
107.
ZHOU Ming-Xiua② YANG Chuna DENG Xiao-Yana YU Wei-Feib LI Jin-Shanb a 《结构化学》2006,25(6):647-652
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S… 相似文献
108.
The influence of hydrogen bonds on the physical and chemical properties of hydrogen bonding fluid system of A a D d type is investigated from two viewpoints by the principle of statistical mechanics. In detail, we proposed two new ways that can be used to obtain the equilibrium size distribution of the hydrogen bonding clusters, and derived the analytical expression of a relationship between the hydrogen bonding free energy and hydrogen bonding degree. For the nonlinear hydrogen bonding systems, it is shown that the sol-gel phase transition can take place under proper conditions, which is further proven to be a kind of geometrical phase transition rather than a thermodynamic one. Moreover, several problems associated with the geometrical phase transition and liquid-solid phase transition in nonlinear hydrogen bonding systems are discussed. 相似文献
109.
110.