首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8120篇
  免费   1684篇
  国内免费   2925篇
化学   5835篇
晶体学   494篇
力学   634篇
综合类   303篇
数学   1301篇
物理学   4162篇
  2024年   22篇
  2023年   78篇
  2022年   297篇
  2021年   280篇
  2020年   272篇
  2019年   275篇
  2018年   265篇
  2017年   378篇
  2016年   258篇
  2015年   410篇
  2014年   502篇
  2013年   655篇
  2012年   671篇
  2011年   695篇
  2010年   738篇
  2009年   732篇
  2008年   864篇
  2007年   771篇
  2006年   774篇
  2005年   624篇
  2004年   488篇
  2003年   378篇
  2002年   337篇
  2001年   403篇
  2000年   411篇
  1999年   189篇
  1998年   118篇
  1997年   108篇
  1996年   89篇
  1995年   72篇
  1994年   86篇
  1993年   52篇
  1992年   57篇
  1991年   51篇
  1990年   51篇
  1989年   59篇
  1988年   40篇
  1987年   26篇
  1986年   24篇
  1985年   19篇
  1984年   19篇
  1983年   19篇
  1982年   8篇
  1981年   15篇
  1980年   9篇
  1979年   9篇
  1978年   9篇
  1974年   3篇
  1973年   2篇
  1964年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 12 毫秒
81.
在近轴条件下,利用矩阵光学的方法研究了高功率高斯光束通过不同光学元件时,克尔效应导致的介质折射率的变化对鬼像位置的影响.计算了单个双凸透镜,单个双凹透镜以及4F系统中反射光线形成的低阶鬼像的位置移动,并将鬼像位置移动的规律表示为入射光束束腰和峰值光强的函数.  相似文献   
82.
仲飞  叶勤  刘彭义  翟琳  吴敬  张靖垒 《发光学报》2006,27(6):877-881
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。  相似文献   
83.
张建中  郭志友  尉然 《发光学报》2006,27(6):1007-1010
在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺,并且应用硅波导使器件小型化,根据法布里-帕罗(F-P)腔和行波放大器理论,在硅波导两端的解理面蒸镀增透膜,应用这种波导的喇曼效应设计了一种光放大器,即基于硅波导的喇曼光放大器。建立了计算放大器增益的方程,给出了不同波导长度和输入功率情况下的放大器增益,得出适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论。基于硅的光放大器有较高的饱和功率且没有泵浦源的限制,通过调整泵浦激光的波长可以放大不同波长的信号光。  相似文献   
84.
本文使用详细的化学反应机理模拟了C2H6/O2/N2/AR层流对冲扩散火焰中多环芳烃的生成动力学过程。反应机理包括96种组分的502个基元反应。通过数值计算分析了层流对冲火焰的结构和主要反应物、中间物质和反应产物的浓度变化,并与相关文献的实验结果进行了比较。结果表明,数值模拟在燃烧过程和PAH生成规律上与实验结果是一致的,但在某些组分的定量预报上存在一定的差别。  相似文献   
85.
利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰 强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.  相似文献   
86.
Human hepatoma and normal liver cells were irradiated with 12C6+ ion beams (LET = 96.05 keV/μm) and γ-rays at Heavy Ion Research Facility in Lanzhou (HIRFL). The chromatid breaks and break types were detected using the premature chromosome condensation technique. Our experimental results showed that chromatid breaks seem to have a good relation with 12C6+ absorbed dose and 12C6+ are more effective to induce chromatid breaks as compared to the γ-rays. For 12C6+ ion irradiation the major break was isochromatid break, while chromatid breaks were dominant for γ-ray irradiation. We also observed that the Relative Biology Effectiveness (RBE) of 12C6+ ion is about 2.5 times higher than that of γ-rays.  相似文献   
87.
设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器(quantum dot field effect transistor,QDFET),建立了二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)的薛定谔方程和泊松方程,通过对薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,对2DEG的载流子浓度进行了模拟。模拟结果显示,AlGaAs的Al组分、δ掺杂层的掺杂浓度以及隔离层的厚度对于2DEG的载流子浓度均有影响。为了使2DEG具有较高的载流子浓度,AlGaAs的Al组分应为0.2~0.4,δ掺杂浓度应为6~8×10~(13)/cm~2,隔离层厚度应在50nm以下。通过对2DEG的载流子浓度进行研究,可以掌握2DEG载流子浓度的影响因素,从而通过优化QDFET结构,可提高2DEG的载流子浓度。这对于高灵敏度QDFET的制备具有重要的意义和应用价值。  相似文献   
88.
This paper is concerned with the existence of travelling wave solutions to a singularly perturbed generalized Gardner equation with nonlinear terms of any order. By using geometric singular perturbation theory and based on the relation between solitary wave solution and homoclinic orbits of the associated ordinary differential equations, the persistence of solitary wave solutions of this equation is proved when the perturbation parameter is sufficiently small. The numerical simulations verify our theoretical analysis.  相似文献   
89.
中子照相是一种重要的无损检测技术,它能用于火工产品、毒品和核燃料元件等的检测。基于紧凑型D-T中子发生器,完成了一个用于快中子照相的准直屏蔽体系统(BSA)的物理设计。根据D-T中子源的能谱和角分布建立了中子源模型,采用MCNP4C蒙特卡罗程序,模拟了准直屏蔽体系统中中子和γ射线的输运,准直中子束相对于单位源中子的中子注量可以达到9.30×10-6 cm-2,准直中子束中主要是能量大于10 MeV的快中子;在设置的样品平面直径14 cm的照射视野范围,准直束中子注量的不均匀度为4.30%,准直束中中子注量与γ注量的比值为17.20,中子通量和中子注量比值J/Φ为0.992,说明准直中子束有好的平行性;准直屏蔽体外的泄露中子注量率与准直束中子注量率相比降低了2个量级。所设计的准直屏蔽体能满足快中子照相的要求。Neutron radiography is an important nondestructive testing technique. It can be used to detect the explosive devices, drug and the nuclear fuel element, etc. A beam-shaping-assembly (BSA) based on a compact D-T neutron generator is designed for fast neutron radiography in this paper. D-T neutron source model is constructed based on the neutron energy spectrum and angular distribution data. The transportation of neutron and γ-ray in the BSA is simulated using MCNP4C code. The neutron fluence of the collimated neutron beam with respect to the neutron source of the unit source is 9.30×10-6 cm-2. The collimated neutron beams is mainly fast neutrons with energies greater than 10 MeV. In the irradiation field range with a diameter of 14 cm, the neutron fluence uniformity of the collimated beam is 4.3%, the ratio of the neutron fluence to the gamma fluence in the collimated beam is 17.20, and the neutron flux and the neutron fluence ratio (J/Φ) is 0.992 which indicates that the collimated neutron beam has good parallelism. The leakage neutron fluence in outside of BSA is two orders of magnitude lower than that of the collimated neutron beam. The designed BSA can meet the need of fast neutron radiography.  相似文献   
90.
用Ar+的457.9,476.5,496.5,514.5nm激光激发充有Ar气的Li热管,获得Van der Waal's分子LiAr在650—760nm波长范围A2П→X2∑的漫射发射光谱。讨论了产生这种发射的动力学机制。 关键词:  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号