STUDY OF THE DEEP INELASTIC SCATTERING OF 12C ON 27AI

The deep inelastic scattering of 71.5 ¹²C ions on a ²⁷Al target was measured.ΔE-E telescope was used to identify the reaction products.The contour plots in the E-θ plane for the measured cross sections in the C.M.S.for B and Be show the generalfeatures of quasi-elastic scattering at grazing angles and the deep inelastic scatteringridge extending from smaller angles and flattening at larger ones.Two special featuresmay be worthwhile to mention.First,there are some fine structures near the Q.E.peak.Secondly,the average C.M.kinetic energy of the completely damped part is notequal to the Coulomb energy of the final state.     

内含等离子体的Fabry-Perot干涉仪的光学开关和双稳现象

本文理论研究了内含等离子体的Fabry-Perot干涉仪的光学开关和双稳现象。在均匀平面波的近似下得到了表述透射光强是入射激光强度的多值函数。并且给出了双稳态工作方式的临界失谐和开关强度的一般公式。最后还给出了数值实例。 关键词：     

AlxGa1-xP固溶体XPS和AES研究

采用XPS和AES对AI_xGa_1-xP(0≤x≤0.64)进行了研究。实验结果表明,组分比x增加时磷的2p结合能减小,价带顶退缩。同时鉴别和澄清了GaP微弱俄歇峰。 关键词：     

克尔效应导致的鬼像位置移动

在近轴条件下,利用矩阵光学的方法研究了高功率高斯光束通过不同光学元件时,克尔效应导致的介质折射率的变化对鬼像位置的影响.计算了单个双凸透镜,单个双凹透镜以及4F系统中反射光线形成的低阶鬼像的位置移动,并将鬼像位置移动的规律表示为入射光束束腰和峰值光强的函数.     

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。     

乙烷对冲扩散火焰中PAHs的生成

本文使用详细的化学反应机理模拟了C2H6／O2／N2／AR层流对冲扩散火焰中多环芳烃的生成动力学过程。反应机理包括96种组分的502个基元反应。通过数值计算分析了层流对冲火焰的结构和主要反应物、中间物质和反应产物的浓度变化,并与相关文献的实验结果进行了比较。结果表明,数值模拟在燃烧过程和PAH生成规律上与实验结果是一致的,但在某些组分的定量预报上存在一定的差别。     

量子点场效应单光子探测器二维电子气载流子浓度研究

设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器(quantum dot field effect transistor,QDFET),建立了二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)的薛定谔方程和泊松方程,通过对薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,对2DEG的载流子浓度进行了模拟。模拟结果显示,AlGaAs的Al组分、δ掺杂层的掺杂浓度以及隔离层的厚度对于2DEG的载流子浓度均有影响。为了使2DEG具有较高的载流子浓度,AlGaAs的Al组分应为0.2~0.4,δ掺杂浓度应为6~8×10~(13)/cm~2,隔离层厚度应在50nm以下。通过对2DEG的载流子浓度进行研究,可以掌握2DEG载流子浓度的影响因素,从而通过优化QDFET结构,可提高2DEG的载流子浓度。这对于高灵敏度QDFET的制备具有重要的意义和应用价值。     

Tb1-xGdxFe2的磁矩和矫顽力

测量了赝二元立方Laves相化合物TbGdFe₂(0≤x≤1)的磁化曲线、居里温度和矫顽力随温度的变化。发现化合物由TbFe₂向GdFe₂过渡时,样品的饱和磁化强度几乎直线下降。在所有成分下,Fe原子的磁矩都是常数(μ_Fe=1.60±0.04μ_B),但Tb原子的磁矩,由于受晶场影响,却小于自由离子的值(gJ=9.Oμ_B)。矫顽力由两部分组成:一为畴壁受Peierls势垒和稀土 关键词：     

AgGaS_2晶体Ⅱ类非共线相位匹配CO_2激光参量上转换

本文报道了AgGaS_2晶体Ⅱ类非共线相位匹配Q开关Nd:YAG激光泵浦CO_2激光参量上转换研究结果,用迭代法计算了相位失配因子△K=0时的最佳非共线夹角.当泵浦功率密度为6MW/cm~2和晶体长度为4.7mm时,功率转换效率达16.1%,并且首次采用硅雪崩光电二极管接收和频信号.     

3 GPa熔融盐固体介质三轴高温压力容器的轴压摩擦力标定

 在温度标定和围压标定的基础上,采用轴压循环方法,对3 GPa固体介质三轴高温高压实验系统的轴压摩擦力进行了标定,分析了围压、温度、轴向位移速率、装样方式（盐套类型）等实验条件对轴压摩擦力的影响。结果表明：静摩擦力、挤压摩擦力和滑动摩擦力3种轴压摩擦力对轴向应力的影响不同,其中静摩擦力和挤压摩擦力对轴向应力的影响很小,影响应力精度的主要是滑动摩擦力。静摩擦力及滑动摩擦力与围压正相关;静摩擦力与轴向位移速率正相关,但受其影响较小,滑动摩擦力不受其影响;静摩擦力和滑动摩擦力与温度负相关,并且受其影响较显著;盐套类型对轴压摩擦力的影响较大,当实验条件接近盐套熔点时,轴压摩擦力显著降低,当样品周围的盐套处于熔融状态时,轴压摩擦力最小。基于此,确定了标定轴压摩擦力的具体步骤,并对角闪岩的应力-应变曲线进行了轴压摩擦力标定。对比轴压摩擦力校正前、后的应力-应变曲线发现,经过轴压摩擦力校正的应力-应变曲线能更好地反映样品的实际变形情况。