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81.
在二(2-乙基己基)磷酸(D2EHPA)络合萃取邻氨基苯酚(OAP)实验中,研究了稀释剂种类、溶液的初始pH值等因素对OAP稀溶液分配比(D)的影响。溶液的初始pH值对萃取结果影响较大,当初始pH值在pKa1和pKa2之间时,分配比出现峰值;二(2-乙基己基)磷酸主要是通过离子缔合和质子交换来实现萃取的,而稀释剂则主要是物理萃取,在同一浓度下,二(2-乙基己基)磷酸的萃取能力随稀释剂的极性增大而提高,极性环境优于惰性稀释剂环境。红外光谱分析证明萃取过程存在离子交换和离子缔合反应。 相似文献
82.
亚熔盐溶出一水硬铝石型铝土矿过程中需在高浓介质条件下脱除二氧化硅杂质,研究采用合成水合碳铁酸钙做为脱硅剂;因水合碳铁酸钙合成过程中会有碳酸钙、氢氧化钙、铁酸钙等副产物,故合成条件对水合碳铁酸钙含量及脱硅效果有重要影响。为了探讨反应机理并优化合成参数, 研究采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、电感耦合等离子发射光谱(ICP-AES)分析对合成过程产物进行了物相分析和脱硅实验。FTIR和脱硅过程元素分析表明水合碳铁酸钙在水溶液中为介稳物质,反应温度和反应时间对水合碳铁酸钙的合成具有重要影响,随时间和温度增加水合碳铁酸钙含量先增加后减少;单因素条件下最优的合成条件为, 反应温度30 ℃,反应时间16 h,反应液固比20,搅拌强度500 r·min-1;对最优条件下合成水合碳铁酸钙的物相结构进行了研究,表明水合碳铁酸钙为斜方六面体晶体结构,其中存在结晶水、羟基、Fe—O特征峰。 相似文献
83.
苦豆子不同生育时期矿质元素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
应用ICP-AES等技术,研究了苦豆子常量、微量矿质元素含量、各部位吸收比例和不同时期的矿质元素需求量。结果显示:(1)成熟期苦豆子常量矿质元素比约为N∶K∶Ca∶Mg∶P∶Na=11.91∶8.27∶7.54∶1.02∶1.00,微量矿质元素比值约为Fe∶Zn∶B∶Cu∶Mn=28.91∶2.12∶1.40∶1.18∶1.00;(2)各器官矿质元素含量因生育时期存在差异,微量元素在营养期茎中总量最高占全株总量的45.6%,而在成熟期种子中最高占全株总量的36.7%。(3)苦豆子在营养期需肥最多,盛花期次之,盛荚期最少。 相似文献
84.
85.
86.
空气中痕量铀的现场光度法测定 总被引:1,自引:0,他引:1
作为一种天然放射性金属元素,铀及其化合物可以地气为分散系,以气溶胶形式稳定存在并随空气迁移。气相中铀可经多种途径对人体造成放射性危害,而其浓度变化与该区域核能开发与利用有关。因此,对空气中铀的快速现场检测具有现实意义。采用普通气泵对低品位铀矿石上方的空气进行采样,并以2.0 mol·L-1硝酸溶液对气体进行吸收,向溶液中添加固体试剂包,对溶液中微量铀进行显色后以手持式光度计进行现场光度分析。结果表明:对于普通低品位铀矿石样品,空气中铀含量可用本方法检出,该方法多次测定的RSD为1.72%,其结果与ICP-MS分析结果一致。将该方法用于区分铀矿石和其他矿石,具有成本低廉,操作方便,结果准确可靠等优点。 相似文献
87.
空间调制傅里叶变换红外光谱仪无可动部件,系统稳定而紧凑,而且程差可控,可实现在线监测和实时检测。多级微反射镜是光谱仪干涉系统的关键器件,其在系统中的位置精度对光谱仪性能影响很大。本文对多级微反射镜的倾斜误差引起的光程差变化进行了理论计算,并利用光学软件进行了模拟仿真。分析结果表明,随着多级微反射镜倾斜角度的增大,干涉图对比度下降,对应的光谱图脉冲谱线展宽,信噪比下降,严重时会出现波数偏离。以上分析方法对后期系统公差分配及装调有着重要的指导意义。 相似文献
88.
为研究Yb3+离子浓度变化对Tm3+离子在蓝色波段荧光强度的影响,以NaF和La(NO3)3为原料,采用水热法制备了Tm3+和Yb3+共掺的Tm3+/ Yb3+∶LaF3纳米颗粒.用X射线衍射对LaF3纳米颗粒进行表征的结果显示,纳米晶体结构呈六方相.透射电镜的观测结果显示,纳米颗粒样品大小均匀、分散性良好.在波长为800 nm的激光激发下,观测到了上转换蓝光发射,其中包括波长为474 nm和479 nm的较强的荧光辐射(相应的跃迁为1G4→3H6)和波长位于450 nm的强度较弱的荧光发射(相应的跃迁为1D2→3F4).通过观测不同Yb3+离子浓度条件下共掺Tm3+/Yb3+∶LaF3样品的荧光光谱,研究了Yb3+离子掺杂浓度对于Tm3+离子的荧光发射的影响,并探讨了产生这种现象的原因.研究结果显示,对于1G4→3H6跃迁产生的荧光发射(474 nm),当Yb3+离子浓度增大时,反向能量传递速率的增加导致了荧光强度的增大.然而,当Yb3+离子浓度增大到一定程度时,Yb3+离子激发态能级寿命的减少将引发荧光强度的下降.相比较而言,Yb3+离子的浓度的变化对于1D2→3F4跃迁产生的位于450 nm处荧光强度的影响较弱. 相似文献
89.
90.
ZHAO ChuanZhen XIU XiangQian ZHANG Rong XIE ZiLi LIU Bin LIU ZhanHui YAN HuaiYue & ZHENG YouDou Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic Electronic Materials 《中国科学:物理学 力学 天文学(英文版)》2010,(1)
The paper reports the setting up of a model of fluid dynamic for GaN HVPE system and the simulation. It is found that when the direction of gravity is opposite to the direction of GaCl flow inlet,there exits a distance at which the uniformity of the deposition is optimal. Here the good uniformity of the deposition is obtained when the distance between the substrate and GaCl inlet is 5 cm. The parameters of gas flow used in growing GaN are also optimized. In addition, the influence of gravity and buoyancy on... 相似文献