全文获取类型
收费全文 | 7330篇 |
免费 | 1701篇 |
国内免费 | 2847篇 |
专业分类
化学 | 5509篇 |
晶体学 | 296篇 |
力学 | 512篇 |
综合类 | 456篇 |
数学 | 929篇 |
物理学 | 4176篇 |
出版年
2024年 | 24篇 |
2023年 | 62篇 |
2022年 | 287篇 |
2021年 | 261篇 |
2020年 | 264篇 |
2019年 | 216篇 |
2018年 | 229篇 |
2017年 | 347篇 |
2016年 | 231篇 |
2015年 | 386篇 |
2014年 | 452篇 |
2013年 | 584篇 |
2012年 | 578篇 |
2011年 | 642篇 |
2010年 | 637篇 |
2009年 | 623篇 |
2008年 | 761篇 |
2007年 | 665篇 |
2006年 | 692篇 |
2005年 | 639篇 |
2004年 | 467篇 |
2003年 | 340篇 |
2002年 | 316篇 |
2001年 | 388篇 |
2000年 | 415篇 |
1999年 | 246篇 |
1998年 | 111篇 |
1997年 | 110篇 |
1996年 | 85篇 |
1995年 | 70篇 |
1994年 | 85篇 |
1993年 | 84篇 |
1992年 | 79篇 |
1991年 | 58篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 81篇 |
1988年 | 53篇 |
1987年 | 42篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 26篇 |
1983年 | 21篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 10篇 |
1978年 | 4篇 |
1977年 | 5篇 |
1971年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 12 毫秒
71.
采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3~5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3~5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3~5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10~(-2)Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3~5μm红外波段检测气体,红外制导等领域. 相似文献
72.
提出一种球谐域类正则化宽带超指向性波束形成算法,通过结合超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器控制阵列白噪声增益和指向性因数,推导类正则化宽带超指向性波束形器的球谐域表达式。在此基础上设计新的可控指向性因数波束形成器,可在不显著放大低频白噪声的前提下实现设定的波束宽度。采用32元球阵的仿真结果表明,对于语音测试场景,类正则化波束形成器的最高PESQ得分相比于传统的超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器分别提高了约0.5和0.4,平均词错率分别减少了约9.5%和8.1%。主观测试实验也表明类正则化波束形成器在方向性噪声和扩散场噪声环境下都可以获得更好的主观听觉感受。利用实验数据对算法性能进行测试,实验结果同样验证了该方法在实际声学环境中的有效性。 相似文献
73.
74.
核电池具有能量密度高、工作稳定可靠、无需人工干预等优点,在需要长期稳定供电的场合具有独特优势,其中热转换式核电池(RTG)是技术最为成熟且应用最早的一类,而β辐射伏特效应核电池已有商业化案例。目前,在β辐射伏特效应核电池研究中存在着放射源自吸收效应浪费能量、转化效率低、换能器件辐射损伤严重等问题,而对于一个实际的核电池,由于放射源自身不断衰变的属性,导致源的成分及其活度随着时间而发生变化,最终影响核电池的电学性能,其影响程度需要加以深入研究。本文以时间轴的形式对核电池的发展进行了全面回顾,简要介绍多种主流类型核电池的原理和应用范围;对于β辐射伏特效应核电池,指出放射源的自吸收是其中的关键科学问题。对于使用63Ni和TiT2放射源的核电池,给出了其电学性能随时间变化的规律;指出对于某一特定结构的β辐射伏特效应核电池设计,在前期的模拟优化环节中,精细计算是至关重要的;最后提出了将放射源与换能材料相结合、使用含有较重同位素的换能器件的设想,这些设想有利于解决放射源自吸收问题、提高核电池输出功率和减轻辐射损伤的影响。 相似文献
75.
76.
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。 相似文献
77.
78.
79.
80.