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C.G. Jin T. Yu Y. Zhao Y. Bo X.M. Wu L.J. Zhuge 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2011,43(10):1863-1866
Silicon carbide (SiC) films are prepared by single- and dual-ion beam sputtering deposition at room temperature, respectively. An assisting argon ion beam (ion energy Ei=150 eV) bombards directly the substrate surface to modify the SiC film surface. The thin films are characterized by the Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and the Raman spectra. With assisting ion beam bombardment, the density of the Si–C bond in the film increases. Meanwhile, the excess carbon or the size of the sp2 bonded clusters and the amorphous Si (a-Si) phase decrease. These results indicate that the composition of the films is mainly Si–C bond. UV-vis transmission shows that the Eopt increases steadily from 1.85 eV for the amorphous SiC (a-SiC) films without bombardment to about 2.29 eV for those with assisting ion beam bombardment. 相似文献
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为提高高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)光电性能,对氧化限制型高功率VCSEL湿法腐蚀工艺进行了实验研究。实验中采用H3PO4系溶液替代以往制备此类器件常用的H2SO4系溶液作为高功率VCSEL外延片的腐蚀液,利用扫描电镜(SEM)研究了腐蚀后外延片氧化窗口的腐蚀形貌变化与腐蚀液浓度的关系,消除了以往采用H2SO4系溶液腐蚀时,高功率VCSEL氧化层侧壁出现的"燕尾"结构;通过改变湿法腐蚀工艺的外部温度条件和腐蚀液的浓度配比,实验研究了高功率VCSEL湿法腐蚀速率规律,最后得出了制备高功率VCSEL时湿法腐蚀工艺的最佳外部温度条件与腐蚀液的最佳浓度配比。 相似文献
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利用可调谐激光二极管吸收光谱技术进行气体检测时,波长调制伴随的光强幅度调制,会使解调出的谐波谱线发生畸变.在傅里叶分析的基础上对可调谐激光二极管吸收光谱任意调制幅度的波长调制光谱信号进行了分析,给出了光强幅度调制引起吸收谱线畸变的理论解释.提出了在波长调制过程中进行旧步平抑幅度调制的方法来消除谱线畸变,设计了实验方案并... 相似文献