HL—1装置碳化和采用抽气孔栏时的可见辐射观测

本文描述了HL-1装置器壁碳化和采用抽气孔栏时,氢及杂质通量的变化情况;利用多道可见辐射的时空分布测量,得到了MARFE放电,在产生MARFE时,辐射热也相应增强。     

强激光场下的双光子自电离理论

本文研究了包括二阶离化过程的强激光场下的双光子自电离。导出了光电子谱的解析表达式,并对一些特殊情况下的光电子谱进行了分析。     

自集成透镜InGaAsP／InPDHLED及其离子束铣技术

本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。     

Rugate光学薄膜通带内反射次峰的抑制

本文探讨了抑制Rugate光学薄膜通带内反射次峰的各种方法。以五次函数匹配和正弦调制相结合的方法获得了在宽光谱范围内能很好抑制反射次峰并能保持其截止带反射率的Rugate膜系。     

单晶光纤损耗谱测量装置

本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300～1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。     

光滑激光脉冲作用下的强场自电离

本文研究了光滑激光脉冲作用下包含高阶离化的强场自电离过程,导出了其中的基本方程,得到了基态布居和光电子谱的一系列解析表达式。讨论了指数增长脉冲作用时的具体结果,发现高能谱比低能谱更能呈现出光电子谱在脉冲光作用下特有的多峰分裂。     

铜到钼的类钠离子能级结构及软X射线光谱理论计算

本文采用Hartree-Fock自洽场方法,从理论上计算了铜到钼的类钠离子1s~22s~22p~6nl(n=3～6,l=O～5)各能级能量。给出了有可能实现软X射线激光的跃迁(5g—4f,5f—4d,6g—4f,6f—4d)的光谱性质:跃迁波长、振子强度,并和实验值进行了比较,跃迁波长的相对误差不超过千分之二。从计算结果可知,Se的6f—4d跃迁,Br的6g—4f跃迁,Zr的5f—4l跃迁,Nb的5g—4f跃迁都已进入水窗波段。     

Correlation of Moments and Critical Phenomenon in Disassembly of Hot Nuclei

We used Monte Carlo method to generate the configurations of disassembly of hot nucleus Au* based on the Atomic Mass Table and the conservation of mass and charge number.The resulted charge distribution of fragments was then used to calculate the conditional moments.The logarithm correlation between second and third moments of experimental charge distribution is very well reproduced by theory.It seems that no connection to the critical phenomenon of concerned system exists.     

The Kondo Problem as the Quantum Sine-Gordon Model

The ground-state properties of the Kondo Hamiltonian is analyzed in detail and we find the problem to be exactly equivalent to a modified quantum sine-Gordon model. Paralleling to the renormalization-group theory of the sine-Gordon model, we easily derive the correct next-to-leading order flow equations and obtain a universal quantity in a linear combination of the coefficients of the higher-order terms.     

溅射原子角分布与靶点表面形貌的关联研究

27keV的Ar⁺离子垂直轰击处于不同温度的Cd靶,用捕获膜技术和Rutherford背散射谱仪(RBS)测定溅射原子角分布,并对所有样品的靶点形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但是在极角为0°处实验值与cosine值的偏离△,是不同的,在靶温度为150℃时的偏离△_T小于在室温时的偏离△_R,亦即△_T<△_R,提出一个简单的模型对这种溅射角分布 关键词：