埋点靶中CH薄膜的制备工艺研究

 CH薄膜的制备是埋点靶制备的关键技术之一,本文主要研究了钨丝辅助裂解制备CH薄膜的制备工艺。研究表明蒸发舟温度和衬底温度对沉积速率影响较大,而衬底距离对沉积速率影响较小;红外光谱和质谱分析表明薄膜的主要成分是聚对二甲苯。     

电子初始能量对双向流二极管空间电荷限制流密度的影响

 从理论上研究了阴极发射电子初始能量对一维平面非相对论性双向流二极管内空间电荷限制电子、离子流密度的影响,并与阴极发射电子初始能量为0情况下的空间电荷限制电子、离子流密度进行了比较。     

Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱（XPS）研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在Alq3分子中,Al原子的束缚能（Eb)为70．7eV和75．1eV,分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ）态;C原子的束缚能为285．8eV、286．3eV和286．8eV,分别对应于C－C、C－O和C－N键;N原子的主峰位于401．0eV,对应于C－N＝C键;而O原子主要与H原子成键,其束缚能为532．8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分种时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、Cls、Nls、Ols、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、Cls和Nls峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。     

高能反应末态强子产率的普适质量关系

最近实验上发现高能粒子反应末态强子多重数与其质量之间满足简单普适经验公式.计算了e⁺e^－湮没与pp(p)反应过程的直生介子与重子多重数,与经验公式中的参数完全一致.对经验公式中与反应能量有关的参数给出合理解释,并讨论了质量普适关系的原因.     

基于手征SU(3)夸克集团模型的YN相互作用和轻超核研究

采用基于手征SU(3)夸克集团模型的YN相互作用位,计算了轻Λ超核5ΛHe,4ΛHe和4ΛH的能谱.结果显示,近似的等效定域ΛN相互作用位不能给出正确的超核结合能,而非定域ΛN位能给出超核5ΛHe结合能的合理范围以及超核4ΛHe和4ΛH能级的正确顺序.这表明YN相互作用的非定域性起着重要的作用.计算中采用了2套模型参数,计算结果正好给出实验值的上下限.这表明超核的实验数据可以提供更多的信息来进一步约束YN相互作用,以弥补YN散射实验数据的不足.利用超核实验数据来优化选择YN相互作用参数是有可能做得到的.     

Solution for One-Dimensional Quantum Oscillator with Time-Dependent Frequency and Mass

Based on the generalized linear quantum transformation theory, we present a normal ordering evolution operator for onedimensional quant urn oscillator with time-dependent frequency and mass, then give the exact expression of the evolution matrix elements, wave function and expectation value of arbitrary observable.     

拉曼光谱对新石器时期白石斧的研究

本文采用显微拉曼光谱技术 ,对云南省永仁县菜园子出土的新石器时期白石斧的表面和截面进行了测试研究 ,结合矿物拉曼谱确定了石斧白色和黑色物质的成分。通过对白石斧截面拉曼谱的分析 ,得出了石斧拉曼主峰 (46 2cm- 1 )的强度随深度变化情况的散点图 ,实验结果发现 ,石斧表面的腐蚀层厚约为 40 0 μm。石斧截面拉曼谱给出了与石斧埋葬年代和周围环境有关的信息     

非均匀性和彩色失真图像的同时补偿

针对CCD摄像机或扫描仪产生图像存在颜色偏差和非均匀性使图像质量下降 ,通过多元线性回归分析方法同时对图像的非均匀性和彩色失真进行补偿 ,使输出图像信号均匀且其色度值与输入信号的色度值相匹配。依据算法进行了仿真试验 ,结果表明补偿后图像与原图像相比大体相近 ,且比非均匀性校正和彩色校正分步进行方法计算量小 ,节省时间     

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

随机扰动下三维流体界面不稳定性的并行计算

对三维流体界面不稳定性的数值模拟引进了新的数值计算方法,并在MPI并行计算环境下进行了数值模拟.利用LevelSet方法确定界面位置,零水平集对应界面位置.对应离散LevelSet方程和界面两侧的两套Euler方程,借助于Ghost网格方法来完成离散.对最后网格点上的两套状态量的辨认依赖于该点的LevelSet值的符号.并进行了数值计算.