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961.
以市场销售的桃为实验材料,利用微波消解电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)同时测定桃中稀土元素的含量。样品经过硝酸-氢氟酸-双氧水微波消解,实现了桃中16种稀土元素的测定。各元素的检出限在0.004~0.020μg·g-1之间,方法精密度在0.78%~2.96%,回收率在95.0%~106.0%之间。比较了稀土元素在果皮和果肉中的分布。结果表明,稀土元素在果皮中的含量明显高于果肉。本法快速、准确,可用于桃等水果中稀土元素的测定。 相似文献
962.
963.
本文合成了配合物[Cu(pcba)2·(phen)(H2O)] (pcba =对氯苯甲酸,phen = 1,10-邻菲罗啉),该配合物属于三斜晶系,P1空间群,晶胞参数为a=0.790 98(2) nm,b=1.072 40(4) nm,c=1.487 19(6) nm,α=100.613(3)°,β=95.239(3)°,γ=108.334(3)°,Z=2,Dc=1.638 g·cm-3,F(000)=582,最终结构残差因子R1=0.035 9,wR2=0.089 1。采用紫外及荧光研究了配合物和人血清蛋白(HSA)的相互作用方式。结果表明,配合物静态猝灭HSA荧光,可求得配合物与HSA的猝灭常数Ksv=2.35×105 L·mol-1,猝灭速率常数Kq=2.35×1013 L·mol-1·s-1,结合常数为Ka=2.14×1013 L·mol-1,结合位点n=2.37。同时,研究了配合物对胃癌细胞A549、宫颈癌细胞Hela和肝癌细胞HepG2的抗增殖能力。 相似文献
964.
965.
Al掺杂四针状ZnO纳米结构的制备及其光致发光和场发射特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用热蒸发法成功制备了Al掺杂四针状ZnO纳米结构(T-AZO),利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光光谱仪和场发射测试系统分别研究了不同Al摩尔分数对T-AZO纳米结构表面形貌、微结构、光致发光谱和场发射特性的影响。实验结果表明:T-AZO纳米结构呈现六角纤锌矿结构,Al掺杂对四针状ZnO纳米结构的形貌产生明显影响并且使紫外发射峰产生蓝移。实验中,当Al掺杂摩尔分数为3%时,场发射性能最好,其开启场强为1.33 V/μm,场增强因子为8 420。 相似文献
966.
建立离子色谱法检测食品添加剂焦碳酸二甲酯(DMDC)中的杂质氯离子的方法。样品用水溶解超声定容后,采用SH-AC-1阴离子交换柱(250mm×4.6mm,5μm)分离,抑制电导法检测。考察了淋洗液种类、浓度对氯离子与干扰离子分离度的影响。最佳色谱条件:以0.005mol/L的四硼酸钠水溶液为淋洗液,流速1.0mL/min。在此条件下,样品中的氯离子可以和其它干扰离子分离,而且分离度达3.0以上,峰形对称。在氯离子浓度为0.1~5.0mg/L的范围内,可获得良好的线性关系,线性相关系数大于0.999;氯离子检出限(S/N=3)达0.007mg/L,加标回收率为97.5%~98.9%。该方法可以用于食品添加剂DMDC中氯离子的测定。 相似文献
967.
活性艳红X-3B(C.I.ReactionRed 2)是一种单偶氮染料,其应用范围广泛,可用于棉、粘纤、涤/棉、锦纶、蚕丝、羊毛、锦/粘等织物的染色和丝绸的印花,因此其废水量大且色度深。目前染料废水的生物处理方法脱色效果差、占地面积大、处理周期长,传统的物理法和化学法也存在着成本高、不能彻底矿化染料分子等缺点。近年来发展起来的光化学处理染料废水的方法及各种光化学组合技术日益受到人们关注,但其中使用的普通紫外灯存在使用寿命短、启动慢、发光不稳定、电极材料易损等缺点[1],致使光化学方法处理废水的成本很高。本文利用微波产生的高频… 相似文献
968.
Ornstein-Uhlenbeck模型下DC养老金计划的最优投资策略 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了Ornstein-Uhlenbeck模型下确定缴费型养老金计划(简称DC计划)的最优投资策略,其中以最大化DC计划参与者终端财富(退休时其账户金额)的CRRA效用为目标.假定投资者可投资于无风险资产和一种风险资产,风险资产的瞬时收益率由Ornstein-Uhlenbeck过程驱动,该过程能反映市场所处的状态.利用随机控制理论,给出了相应的HJB方程与验证定理;并通过求解相应的HJB方程,得到了最优投资策略和最优值函数的解析式.最后分析了瞬时收益率对最优投资策略的影响,发现当市场向良性状态发展时,投资在风险资产上的财富比例呈上升趋势;当初始财富足够大且市场状态不变时,投资在风险资产上的财富比例几乎不受时间的影响. 相似文献
969.
970.
侧边抛磨光纤波导传输特性的理论分析 总被引:2,自引:0,他引:2
在建立侧边抛磨光纤D型光纤边界条件的基础上,用三维有限差分光束传输法计算和分析了侧边抛磨光纤器件的光功率衰减随光纤的侧边抛磨长度、光纤侧边抛磨后剩余包层的厚度、以及填充聚合物材料折射率三个参量变化的特性.结果表明,侧边抛磨光纤器件的光功率衰减随着抛磨长度的增加而增大;当抛磨长度等于9 mm时,光功率衰减随着剩余包层厚度的增大而单调递减.而当抛磨长度大于9 mm时,剩余包层厚度小于3 μm的范围内,光衰减随着剩余包层厚度的增加出现振荡;当聚合物折射率与纤芯折射率相同时,光功率衰减最大. 相似文献