超声波在多糖降解及提取中的应用

本文支综合介绍了超声波在多糖降解和提取中应用的研究进展．着重对超声波在淀粉，壳多糖，细菌多糖的降解和真菌多糖的提取中的应用作了较详细的阐述．     

堵塞效应与“全同带”的微观机制

利用处理推转壳模型的改进了的粒子数守恒方法(严格计及堵塞效应),对原子核的转动惯量进行了计算,计算中无任何自由参数,所得转动惯量(包括¹⁷⁰Yb,¹⁷¹Lu¹⁷¹Yb各转动带)及其奇偶差,与实验非常符合,转动惯量的奇偶差灵敏地依赖于被堵塞的能级位置及其对Coriolis力的响应。     

停流—荧光动力学分析法测定痕量钛的研究

利用自行组装的停流-荧光动力学分析仪,采用停流法汇合流体动力注入技术,研究了钛与3.5-二溴水杨基荧光酮的荧光增强动力学反应性质,讨论了流速、进样时间对方法灵敏度和精密度的影响,提出了一个快速、简便、精确测定钛的分析方法,并用于稀土样品及合成样品中痕量钛的测定.方法检测限为8×10~(-3)ppm,大多数元素的干扰均可用动力学方法消除.     

关于可达矩阵的求法探讨

在《离散数学》、《图论》课程中 ,用矩阵表示图时 ,涉及到一类重要的矩阵——可达矩阵 ,它是判别图中任意两点是否有通路的重要手段 ,也是求强分图的重要方法 ,但是可达矩阵的求法比较复杂 .本文针对这一问题 ,对可达矩阵的求法进行了改进 ,提出了一种简单可行的算法 .     

混合方次的Waring——Goldbach问题

研究混合方次的Waring--Goldbach     

离散型半参数广义线性纵向数据模型的方差成分检验

在回归分析中, 随机误差是否存在方差非齐性是大家十分关心的问题, 本文根据Laplace展开原理针对随机效应的影响研究了基于纵向数据的离散型半参数广义线性模型的方差成分检验,得到了Score检验统计量, 最后通过一个实例和计算机模拟验证了本文所提出的方法的有效性.     

Angular and NiFe thickness dependence of exchange bias in IrMn/NiFe/IrMn thin film

Exchange biased IrMn/NiFe/IrMn thin films were studied as a function of NiFe thickness. In plane angular dependence of a resonance field distribution which is measured by FMR was analyzed as a combined effect of an unidirectional anisotropy and an uniaxial anisotropy. The unidirectional anisotropic field and the uniaxial anisotropic field were linearly varied with NiFe thickness while the films with a thicker NiFe layer do not follow the linear variation. Resonance field and linewidth variations were also analysed with NiFe thickness.     

线性递归序列模q

设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列．序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究．本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论．     

一种基于粒子滤波的测向定位跟踪算法

基于多站测向定位提供的目标辐射源方位角信息,提出了一种基于粒子滤波的测向定位跟踪算法.该算法采用序贯蒙特卡罗的粒子滤波技术,对目标辐射源方位信息进行粒子滤波融合处理,实现了对机动目标辐射源的无源定位跟踪.仿真实验表明,该算法适用于非线性模型和非高斯噪声的目标跟踪,与传统的基于卡尔曼滤波的多传感器融合跟踪算法相比,定位跟踪更为精确,从而对提高战场电子目标定位跟踪和精确打击具有广泛的应用价值.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟