开口谐振环阵列在太赫兹波段的谐振特性实验研究

实验制备了单元尺寸在微米量级的开口谐振环周期阵列样品,测试了其在0.1~2 THz频段的散射系数,验证了不同极化方向的垂直入射可产生单独的电谐振或同时产生磁谐振的传输特性,验证了材料电导率对样品的谐振频率的影响。结合仿真计算结果,得到了等效的负介电常数和负磁导率随频率的变化关系,及其电、磁谐振频率与谐振环单元尺寸增大倍数k的关系曲线。实验和仿真均表明,样品的电谐振频率与1/k线性相关,而磁谐振频率与1/k成正比关系。     

宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列（英文）

针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。     

KDP晶体三倍频实验和分析

报道了ＫＤＰ晶体中的三倍频产生的实验研究，计算了比较了直接三倍频过程和级联过程对ＫＤＰ晶体三阶有效非线性系数的贡献，并探讨了ＫＤＰ作为非线性晶体材料三阶非线性系数测量基准的可行性。     

600MeV ~(18)O+~(nat)Pb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV（18）O轰击（nat）Ph（厚靶）生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果．通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较，讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制．测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较．结果表明，中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势．     

双通放大受激布里渊散射脉冲压缩

文章报道了利用双通放大结构进行受激布里渊散射（ＳＢＳ）脉冲压缩，实验获得了近极限压缩的脉冲，压缩率近１０倍。实验中同时观察到脉冲压缩中的相位跃变。相位跃变是受激背散射光与入射激光间的增益与损耗调制的结果。     

血清钙的甲基百里香酚蓝测定法

本文以甲基百里香酚蓝为显色剂，利用等吸收双波长消去法测定血清钙含量，测定波长为６１３．７ｎｍ，参比波长为５９０．０ｎｍ，本法不用加掩蔽剂即可消除镁的干扰。血清中钙的平均回收率和相对标准偏差分别为９８．９８％和０．８１％。本法与滴定法比较、快速、简便、结果准确、适应于临床生化检验。     

平面研磨中影响工件起动力矩的因素

本文针对平面研磨过程中工件运动的随机性，从理论上求出了在机床起动瞬间磨具作用于工件上的合力矩；探讨了影响这个力矩的主要因素，偏心距和工件几何尺寸的作用规律；为选择研磨参数提供一理论依据。     

金箔靶背侧X光辐射的实验研究

利用星光Ⅱ激光装置钕玻璃三倍频激光辐照金箔靶，实验研究了金箔靶背侧发射的Ｘ光能谱，时间过程和秀过激光能量。结果表明：金箔背侧发的Ｘ光可以作为一种较干净的强Ｘ光射源。