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11.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性. 相似文献
12.
设计合成了用以检测过渡金属离子的荧光化学敏感器体系,它们是由1,8-萘二酰亚胺为荧光团,多胺衍生物为金属离子受体组成.在室温下对其光物理性质的研究中发现,在没有加入过渡金属离子时,由于体系内存在有效的光诱导电子转移过程使得荧光团的荧光被淬灭.加入过渡金属离子后,金属离子受体中的氮原子和过渡金属离子之间的配位作用阻断了光诱导电子转移过程,体系的荧光增强.不同的金属离子受体表现出了和过渡金属离子不同的配位识别能力,并且通过荧光的变化传递出受体-金属离子作用的信息. 相似文献
13.
虚拟RLC电参量测试仪 总被引:1,自引:1,他引:0
虚拟仪器在测试测量领域、自动控制和工业控制领域有着广泛的应用.为提高本科生普通物理实验训练的起点,北京大学基础物理实验中心将虚拟仪器引入到物理实验教学中.本文以虚拟RLC电参量的测量为例,介绍了虚拟仪器在物理实验中的具体应用. 相似文献
14.
本文在一类 Lp位势V(x)下建立了广义Schrodinger算子H=(-Δ)m+V(x)在C∞0(Rn)上的本质自伴性,给出了H的本质谱的分布. 相似文献
15.
Wen Zhang Hui Huang Yu Ding Margherita Gavagnin Ernesto Mollo Guido Cimino Yue‐Wei Guo 《Helvetica chimica acta》2006,89(4):813-820
Three new polyoxygenated steroids, muricesteroid ( 1 ), and menellsteroids A ( 2 ) and B ( 3 ), were isolated from two species of the South China Sea gorgonian Muricella flexuosa and Menella verrucosa Brundin , respectively. The structures of these new compounds were elucidated on the basis of extensive spectroscopic analysis, chemical methods and comparison with known related compounds. 相似文献
16.
在不同激光脉宽下的高次谐波 总被引:3,自引:2,他引:1
用数值计算方法计算了不同强激光脉冲宽度下高次谐波的产生.我们发现对于激光场强度不高,不能有效电离初态的激光场,长脉冲宽度可以更有效产生高次谐波;而对于高场强的激光场,由于它能够在几个光学周期之内把原子的初态全部电离,所以短脉冲的激光场能够更有效产生高次谐波. 相似文献
17.
利用解析和数值方法研究了在具有横向折射率周期性调制的克尔型非线性介质中光学格子孤子的传输,得到了孤子参数的演化方程以及格子孤子的形成和稳定传输的条件.结果表明:当光束的入射角小于某临界角度时,光束可被类似波导形式的路径俘获而稳定传输,该临界角随折射率调制周期、调制深度的增加而增大,且光束越窄临界值越大.此外,线性空间啁啾虽然对光束传输的中心位置没有任何影响,但会导致光束发散从而破坏格子孤子的形成和稳定传输,对此提出了采用特定功率取值来补偿啁啾作用从而形成格子孤子的方案.
关键词:
光孤子
光学格子
光传输
矩方法 相似文献
18.
基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅰ)产生MeV量级γ光子的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果. 相似文献
19.
We study the structure of invertible substitutions on three-letter alphabet. We show that there exists a finite set
of invertible substitutions such that any invertible substitution can be written as Iwσ1σ2σk, where Iw is the inner automorphism associated with w, and
for 1jk. As a consequence, M is the matrix of an invertible substitution if and only if it is a finite product of non-negative elementary matrices. 相似文献
20.
Band bending at the Ni/Si(100)-2×1 interface has been monitored by using Si 2p core level photoemission spectra. Two nickel-induced Si 2p components appear in the initial interaction between Ni and Si(100)-2×1, which is confined at the top surface and the first subsurface layers. At Ni coverage less than 0.0375 ML, Ni atoms prefer the adamantane interstitial sites on the first subsurface, but switch to the pedestal sites on Si dimer rows at higher Ni coverage. The change in the preferred occupation sites of Ni atoms on the Si(100)-2×1 surface strongly affects the amount of band bending shift. The shift towards higher binding energy, when Ni atoms occupy the adamantane interstitial sites, is attributed to metal-induced-gap states. While Ni atoms occupy the pedestal sites, the band bending shift is reduced which is attributed to the passivation of surface states. 相似文献