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51.
辐射加热金X光再发射时间测量   总被引:4,自引:3,他引:1       下载免费PDF全文
利用星光Ⅱ三倍频激光打双盘靶,研究了辐射加热材料的X光发射时间。激光脉冲能量40~60J、脉冲宽度600~700ps。通过两台时间关联的亚千X光能谱仪分别监测双盘靶初、次级发射X光谱,给出了辐射加热次级X光再发射时间。  相似文献   
52.
沈为民  张艺 《光学学报》1998,18(12):741-1745
提出了折射率温敏式光纤温度传感器的理论模型,包括子午光线和偏射光线的影响,讨论了多模光纤的弯曲损耗,理论的分析和结果与实验相当一致。  相似文献   
53.
A series of Gd(1−x)Bx alloys have been prepared by arc melting method. After introducing small quantity of B atom in Gd, the Curie temperature of these alloys increase while the magnetic entropy changes are almost same as that of Gd. The refrigerant capacities of these alloys are also greater than that of Gd. These results suggest that Gd(1−x)Bx alloys may be utilized as refrigerant in household magnetic refrigeration.  相似文献   
54.
A planar optical waveguide has been formed in a LiB3O5 crystal using 6.0 MeV Cu+-ions with a dose of 1 × 1015 ions/cm2 at room temperature. Possible propagating modes were measured at a wavelength of 633 nm using the prism-coupling method. The refractive index profiles of the waveguide were reconstructed by an effective refractive index method and the beam propagation method was used to investigate the properties of the propagation modes in the formed waveguide. The results suggest that the fundamental TE0 and TM0 modes may be well-confined and propagate a longer distance inside the waveguide. The implantation process was also simulated using the transport of ions in matter code (TRIM), which indicates that the nuclear energy deposition may be the main factor for the refractive index change.  相似文献   
55.
56.
57.
58.
不连续双斜向内肋管纵向涡流动显示   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用染色线流动显示方法,显示并分析了不同雷诺数下不连续双斜向内肋管管内流场。流动显示实验结果表明不连续双斜向内肋管管内存在较强的贴近壁面的纵向涡,纵向涡沿流向可持续约一倍管径距离,并且纵向涡的强度随雷诺数的增加而增强。  相似文献   
59.
In this paper a half space problem for the one-dimensional Boltzmann equation with specular reflective boundary condition is investigated. It is shown that the solution of the Boltzmann equation time-asymptotically converges to a global Maxwellian under some initial conditions. Furthermore, a time-decay rate is also obtained.  相似文献   
60.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长   总被引:2,自引:2,他引:0  
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。  相似文献   
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