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991.
992.
993.
采用密度泛函方法对铜原子在有限长(5,5)椅型单壁碳纳米管的吸附行为进行了研究.计算结果表明,铜原子吸附在管外壁要比吸附在管内壁能量上更为有利,在管外壁碳原子顶位吸附最佳,属于明显的化学吸附.且用前线轨道理论对其成键特性进行了分析,表明在顶位吸附时主要由铜原子的4s轨道电子与碳纳米管中耦合的σ-π键形成新的σ键.此外还对比计算了两种典型位置电子密度,发现顶位吸附的成键中有更大的电子云重叠.进一步表明在某些情况下铜碳原子可以成键.
关键词:
碳纳米管
铜原子
成键特性 相似文献
994.
针对化纤企业生产、检测的需要,研制了一种粘纤单丝数目自动检测系统。系统采用环形光源,从周围均匀照明经静电和高速风两次分离的粘纤,再由成像物镜将分离的粘纤清晰成像至高速面阵CCD传感器靶面上,基于Directshow技术自行编制出图像采集程序。利用自主研发的图像处理软件,处理粘纤图像信息,自动计算其单丝的数目,并给出判别结果。在图像处理方面采用分行消包络阈值分割法和连通域跟踪计数法,解决了粘纤计数中的胶丝重叠、分叉等关键技术难题,保证了计数准确率。该系统具有精度高、检测速度快等特点。 相似文献
995.
We investigate the lepton flavor violation processes pp→eμX induced by R-parity violating interactions at the
Tevatron hadron collider. The theoretical calculation and Monte
Carlo simulation demonstrate that with a set of suitable cuts on
experimental observables, one might be capable to reduce the
standard model physical background to a controllable level so that
the signals of R-parity violating interactions could be detected
distinctively. Furthermore, clear sneutrino information can be
abstracted from the purified event sample where other SUSY scalar
quark ``pollution' is heavily suppressed. We conclude that with a
reasonable assumption of 10 fb-1 integrated luminosity, the
experiments at the Tevatron machine would have potential to
discover sneutrino in the region of
m_{\tilde{ν}}≤400 GeV via
lepton flavor violation eμ production channels, or extend the
mass scale constraint up to m_{\tilde{ν}}≥ 550 GeV at 95% CL. 相似文献
996.
997.
Based on the generalized Raleigh-Sommerfeld diffraction integral, an analytical nonparaxial propagation formula of a partially
coherent dark hollow beam (DHB) in free space is derived. The paraxial approximation is dealt with as a special case of our
general result. By using the derived formula, the nonparaxial propagation properties of DHBs are studied and are compared
with the paraxial results. It is shown that the nonparaxiality properties of a partially coherent DHB are closely related
to its initial beam parameters (i.e., beam waist size, wavelength, coherence length, dark size) and the propagation distance. 相似文献
998.
999.
1000.
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%. 相似文献