The first excited single-proton resonance in ~(15)F by complex-scaled Green's function method

The complex-scaled Green's function(CGF)method is employed to explore the single-proton resonance in 15F.Special attention is paid to the first excited resonant state 5/2+,which has been widely studied in both theory and experiments.However,past studies generally overestimated the width of the 5/2+state.The predicted energy and width of the first excited resonant state 5/2+by the CGF method are both in good agreement with the experimental value and close to Fortune's new estimation.Furthermore,the influence of the potential parameters and quadruple deformation effects on the resonant states are investigated in detail,which is helpful to the study of the shell structure evolution.     

Modeling ExB drift transport in conceptual slot divertor configurations

At DIII-D, a slot divertor concept, called small-angle-slot (SAS), is under development, aiming to enable detachment at relatively low plasma edge density. We report on simulations using the SOLPS-ITER two-dimensional edge code to examine the performance of conceptual “SAS 2” slot configurations. The focus of the analysis is on E  ×  B drift effects on upstream density at detachment (UDD), with detachment marked by electron temperature T_e ≤ 3 eV at the outer strike point (OSP). With toroidal field such that radial E  ×  B drift carries particles from the OSP towards the private flux region (PFR), placing the OSP near the inner slot wall gives ≈20% lower UDD than having the OSP near the outer wall. The inner wall effectively traps the radial E  ×  B drift flux, resulting in low T_e and associated radial electric field in the PFR, and thus small losses from the slot to the inner target via poloidal E  ×  B drift flux. With toroidal field reversed such that radial E  ×  B drift is reversed, OSP placement near the inner wall gives ≈10% lower UDD than OSP placement near the outer wall. Although radial E  ×  B flux is from the OSP towards the outer wall, this flux largely escapes the slot, raising the UDD. A change in the slot shaping is suggested with the goal of eliminating such E  ×  B -driven particle losses from the slot.     

基于非线性光纤环形镜的少模脉冲幅度调制再生器

随着网络带宽需求的快速增加,波分复用系统的容量已接近非线性香农极限.为了适应未来网络的发展,空分复用技术引起了越来越多的关注.本文首次提出基于少模非线性光纤环形镜(FM-NOLM)的脉冲幅度调制(PAM)全光再生器,描述了其工作原理和具体设计过程.采用COMSOL软件对组成FM-NOLM的硫化物高非线性光纤进行了模式特性仿真.以LP01,LP11,LP21三个光纤模式为例,确定了再生器的参数,计算出每个模式的功率转移函数曲线.仿真分析了该少模PAM-4全光再生器的噪声抑制(NRR)性能,并与单模情形进行了比较.研究表明,1)对于每个空间模式的PAM信号,所有再生电平具有一致的功率转移性能;2)当输入信噪比(SNR)约大于20 dB时,三种模式的噪声抑制比均可超过3 dB,并随着输入信噪比线性增加,其斜率约为1.2;3)在相同输入SNR条件下,三种模式的噪声抑制比相差不大,不超过1.1 dB.为了说明再生器的再生性能,当输入SNR为25 dB时,我们还给出了再生前后PAM-4信号的功率分布直方图.与现有的再生方案相比,本文方案的均匀多电平再生转移性能,使其更适合高频谱效率的长距空分复用系统和任意电平数的PAM信号再生.此外,该方案也能够扩展到波长域,有效提高光通信系统的传输容量.     

非晶态Fe－W合金镀层的表面改性

将Ｆｅ－Ｗ非晶态镀层在铬酸盐钝化液中进行化学钝化与电化学钝化，使之形成含铬钝化膜。阳极极化曲线说明，钝化后镀层的孔蚀电位向正向移动了约１．６８Ｖ；Ｆｅ－Ｗ非晶镀层在氯化钠溶液中浸泡近１ｈ表面发生严重腐蚀，而经钝化处理的镀层浸泡１个月，表面无变化，仍具有金属光泽。     

铜在ρ-Si上激光诱导电沉积过程的研究

由于在微电子器件制造，成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景，激光诱导化学及电化学沉积金属的研究，最近几年引起了极大兴趣［1－3］，例如Zahavi［4］报道了Pd，Au，Ni－Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si，InPGaAs上的无掩膜选择性沉积，金属沉积只发生在光照部位．大多数研究工作是围绕应用技术而开展的，理论研究，尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺．我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲，既使不需外加偏压，沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递，因此可以通…     

镧与镍共沉积的研究

由于含稀土的合金新材料具有多种特殊功能，因此，其制备技术已为人们所关注．制备含稀土合金的方法有高温烧结法、真空蒸发法、离子溅射法及电化学法等．其中电化学法设备简单，容易获得不同组份的表层材料，但是，由于稀土元素的电位很负，从电解质水溶液中沉积稀土及其合金是相当困难的，以往曾有采用熔融盐电解质或非水电解质制备稀土合金的一些报导[1，2]，而从电解质水溶液中电沉积稀土合金的报导甚少．本研究采用适宜的络合剂，实现了从电解质水溶液中电沉积Ni－La合金，镀层中钠含量最高达22．58％（质量分数，下同）．通过XPS及…     

地质样品中岩性自动分类X－射线荧光光谱分析研究

鉴于地质样品岩性变化大，容易引起对Ｘ－射线荧光分析准确度的影响，尤其是主、次量元素受影响更大，因此，作者提出了岩性自动分类，交互有效－基本参数法分析地质样品中主、次量元素，并与原有的经验系数和其它方法进行了比较．结果表明本方法的准确度更好些，对岩性的变化具有更好的适应能力     

三硒化二铒Er_2Se_3的合成与结构

采用高温固相反应和化学气相传输法合成三硒化二铒。晶体属于四方晶系，Ｍ_ｒ＝５７１．４０，空间群为Ｐ４／ｎｍｍ，ａ＝３．９８４（１），ｃ＝８．２２８（３），Ｖ＝１３０．５９（７），Ｚ＝１，Ｄ_ｃ＝７，２７ｇ／ｃｍ￣３，Ｆ（０００）＝２３８，μ（ＭｏＫα）＝５２８．８６ｃｍ￣（－１），对于１８７个Ｉ≥３σ（Ｉ）的独立衍射点，最后偏离因子Ｒ＝０．０６６，Ｒ_ｗ＝０．０７８。化合物Ｅｒ_２Ｓｅ_３的晶体结构是由Ｅｒ配位多面体的双层状结构通过共用Ｓｅ（２）原子，沿ｃ轴方向堆积而形成的三维结构。     

基于伴刀豆球蛋白固定过氧化物酶无介体新型生物传感器的研制

以纳米金吸附辣根过氧化物酶,用活化的伴刀豆球蛋白(Con A)将其固定在裸金电极表面,研制成一种新型的无介体辣根过氧化物酶生物传感器。探讨了纳米金的尺寸、组装膜层数、工作电位和pH等实验条件对传感器性能的影响。在pH7.0,外加电压-150mV(vs.SCE)条件下,传感器对H2O2在5.0×10-6~1.2×10-2mol/L范围内呈线性关系;检出限为2.9×10-6mol/L。将传感器用于实际样品的测定,结果良好。