Sm2-xCexCuO4的物性研究

制备了Sm2-xCexCuO4的多晶样品.X-射线粉末衍射结果表明,该系列样品为K2NiF4214结构,当0.090.17时,为T'相.电阻率测量在0.15,0.17,0.19样品上观测到超导转变.最高Tc对应于x=0.17为13.6K,均远低于(Pr0.8La1.2)1.85Ce1.2CuO4 的超导转变温度(30K).这是由于该系列样品在远高于超导转变温度时就存在更强的载流子局域化效应.磁化率测量结果表明x=0.17的样品为体超导.该体系样品的Tc低、抗磁信号小与载流子的强局域化效应有关.热电势测量结果表明,在最佳超导组份附近斜率改变符号,欠掺杂区域载流子为电子型,过掺杂区域载流子为空穴型.     

高温超导体Hg0.9Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ的热导

测量了高温超Ｈｇ０．９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热导率,温度范围为２０～３００Ｋ。在超导转变温度Ｔｃ以下观察到热导率明显的增加。在６５Ｋ（～０．５Ｔｃ）附近,超导体的热导率表达到了一个宽的极大,热导率的极大值为的１．６倍。用正常态电子散射的模型对实验结果进行了拟合。     

锁相环的相位模型与实验电路

讨论了锁相环的相位数学模型,给出了一种适合于数学的锁相环实验电路．     

高压及热处理对氮碳薄膜激光诱导荧光效应的影响

应用激光激发荧光光谱实验对经热处理后及高压条件下的氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析。实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光疚降有者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率的恢复,表明导致荧光光谱效率低的微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新的实验证据。     

利用NOLM实现连续光到归零码脉冲和波长的同时变换

利用非线性光学环路镜成功地实现了连续光到超短光脉冲和波长的同时变换.最大波长变换间距大于35nm.实验系统中采用增益开关分布反馈半导体激光器(GSDFB-LD)产生的超短光脉冲作为控制光,采用波长可调半导体激光器作为信号光.在变换过程中在1.55μm附近首次观测到了波长的反相变换.当信号光和控制光脉冲走离大于40.7ps时,变换信号脉冲发生畸变,变换脉冲展宽.     

实现20Gbit/s的OTDM孤子信号56km色散位移光纤的传输

在国内最先采用孤子的方式将8×2.5Gb/s的OTDM信号在色散位移光纤中传输了56.1km,对8×2.5Gb/s的OTDM进行解复用后进行了误码测量,系统功率代价为2.9dB.系统采用增益开关半导体激光器作光孤子源,高Q电滤波方式提取时钟,非线性光学环路镜解复用。孤子脉冲最大半宽度为20ps,传输光纤平均色散1.2ps/nm/km。     

变化磁场产生涡旋电场的一般形式

本文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式．并用来对熟知的圆柱形磁场分布作了计算和讨论     

分子筛组装单质半导体碲的拉曼光谱

无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型     

光谱法研究人发,指出中锰,镍含量 变化曲线的特征

在近１０年内按季度收集了同一个人的头发样品３３份和指甲样品,４１份,应用火焰原子吸收光谱法测定了人发和指甲中的锰和镍含量,并分别绘制锰和镍随时间（年）变化曲线,获得锰含量波动范围;人发中０．２１００－１．５００μｇ／ｇ、指甲中０．８３００－２．３９１μｇ／ｇ;镍含量波动范围;人发中０．４９００－１．７５０μｇ／ｇ、指甲中１．１７９－４．１８４μｇ／ｇ。含量变化曲线均具有非线性特征。     

外调制CATV光发射机中并行结构预失真补偿技术

针对外调制式CATV光发射机中固有的非线性复合三阶差拍(CTB)失真,提出了一种并行结构的预失真补偿电路技术,并进行了详细的理论分析.在此基础上设计制作了基于互补型二极管阵列的预失真非线性补偿电路,实现了50～550MHz宽频带内CTB补偿15dB～18dB,同时对二次失真没有影响.