单链和寡链等规聚苯乙烯聚集体的结晶行为

自1960年Hoffman等提出聚合物结晶成核理论以来,人们对聚合物结晶生长速率、片晶的侧向尺寸随过冷度的变化等现象成功地进行了理论描述．1997年,Hoffman等对聚合物结晶成核理论进行修正,将de Gennes的聚合物“蛇行”概念。引入表面成核理论,通过对单根分子链从过冷熔体“卷绕”到晶体前沿所需的时间进行估算,其结果远远低于Flory预言时间约3～5个数量级,据此,Hoff-man认为,在聚合物结晶过程中,分子链在强迫稳态下的“蛇行”运动有足够的时间解缠结和结晶。     

双键萘啶衍生物和联吡啶类桥联Cu(Ⅰ)配合物的合成及性质研究

<正>1,8-萘啶类化合物和多联吡啶的Cu(Ⅰ)配合物以结构多样化、生物医药活性和独特的发光性能已成为活跃的研究领域.本论文首次合成了3个含有双键的1,8一萘啶、1个1,8-萘啶衍生物、2个多联吡啶衍生物和10个联吡啶类桥联Cu(Ⅰ)配合物,通过单晶X射线衍射确定了10个新配合物的晶体结构.通过对1,8-萘啶衍生物在不同溶剂中的光致变色现象和联吡啶类桥联Cu(Ⅰ)配合物的晶体结构、磁性、光物理性质及电化学性质的研究,得到了一些有意义的结果:     

PHOTOPHYSICAL STUDIES ON ORGANIC COMPOUNDS——TIME-RESOLVED TRANSIENT ABSORPTION SPECTRA STUDIES ON TRIPHENYLAMINE IN VARIOUS SOLVENTS

The transient absorption spectra of triphenylamine (TPA) in various solvents have beeninvestigated by the methods of nanosecond laser photolysis. The lifetimes of TPA were meas-ured. In hexane and ethanol, the transient absorptions of triplet state and triplet excimer ofTPA were observed. However, the transient absorptions of the TPA cation radical was alsoobserved in acetonitrile besides that of the triplet TPA monomer and excimer. According tothe experimental facts, the transient photophysical mechanism of TPA in various solvents hasbeen proposed.     

聚合物的热压力系数及内压

本文将我们在前文中提出的修正van der Waals模型, 推广到了液态聚合物中, 从而建立了一个能在宽阔温度范围内准确计算聚合物热压力系数的关系式。式中ν和M分别为聚合物的比体积和链节的摩尔质量, A为聚合物的特性常数。对于本文考察的五种聚合物, 发现它们的链节大小均为聚合物的三个结构单元。     

合成磷酰氯二烷基酯的新方法

以亚磷酸三烷基酯为原料,三氯异氰尿酸为氯代试剂,二氯甲烷为溶剂,在室温下合成了磷酰氯二烷基酯,其结构经1H NMR, 31P NMR和GC-MS确证.     

吸附法处理水体中溶解性有机物的研究进展

综述了溶解性有机物(DOM)的性质、危害以及各种吸附剂在DOM去除中的研究现状.总结和介绍了吸附法处理DOM的主要机理和作用孔径,并对树脂吸附法处理DOM的研究提出了一些建议和展望.     

低温等离子体与MnO_x/γ-Al_2O_3协同催化降解正己醛

研究了在低温等离子体和催化剂共同作用下低浓度正己醛的降解反应.结果表明,等离子体与γ-Al2O3之间产生了很好的催化协同作用,在低放电功率(2.8W)和低温(80℃)下,干燥空气气氛中,γ-Al2O3对0.12%正己醛的去除率为87.1%;当γ-Al2O3负载7.5%MnOx后,正己醛去除率达到96.5%,其效果与Pt/γ-Al2O3相当.7.5%MnOx/γ-Al2O3在实验条件下连续使用50h,其催化活性未见下降.     

甲烷部分氧化气氛制备碳纳米管

碳纳米管是由碳六元环构成的类石墨平面卷曲而成的纳米级中空管,其中每个碳原子通过sp2杂化与周围3个碳原子发生完全键合,管的直径在几个纳米到几十个纳米之间,而轴向长度却可达几十微米甚至更长,故被称为准一维分子纳米材料.由于这种特殊结构,碳纳米管具有许多奇异的物理化学性能,如独特的导电性、极高的机械强度、润滑性和吸附能力等.自发现碳纳米管以来[1],人们开展了多种方法进行制备研究,如电弧放电(Arcdischarge)[2]、激光烧蚀(Laserablation)[3]、碳氢化合物催化分解(Catalyticdecompositionofhydrocarbons)[4]和化学气相沉积(Chem…     

MOCVD水平式反应器中热泳力对沉积过程中反应前体浓度分布的影响分析及数值模拟

在MOCVD反应器中,针对GaN生长中的TMGa分子,推导出热泳力、热泳速度以及扩散速度的计算公式.在低温区,热泳速度大于扩散速度;在高温区则相反.影响热泳力的主要因素为温度梯度和分子直径.水平式反应器内,粒子同时受到热泳速度和扩散速度的影响.在只考虑组分输运以及包括化学反应等两种情况下,通过改变反应器上壁面温度,模拟得到水平式反应器中热泳力对沉积速率以及反应物粒子浓度分布的影响.并与文献中的实验数据对比,验证了模拟结果的正确性.结果显示,由于热泳力的影响,在相同操作条件下高温区H2等小直径粒子的质量分数增大、TMGa和NH3等大分子粒子的质量分数减小.从提高生长速率的角度,需减小上下壁面温度梯度;从沉积均匀性的角度,应使到达下游的反应粒子数增多,故需增大上下壁面温度梯度.     

蓝宝石衬底材料的研究及应用进展

蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料.传统的蓝宝石衬底生长GaN薄膜存在许多问题,如由晶格常数不同产生的晶格失配、热应力失配等,且GaN薄膜结晶质量较差、光线提取效率低.介绍了图形化蓝宝石衬底技术在制作GaN基LED器件中的应用,比较了几种图形化衬底对LED的发光性能的影响.在图形化蓝宝石衬底上采用PVD法生长AlN薄膜,可以降低GaN薄膜的螺旋位错和刃位错、提高MOCVD生长效率、显著提高设备利用率.另外,介绍了蓝宝石衬底在SOS领域的应用,列出了SOS工艺对蓝宝石衬底的具体要求.蓝宝石作为一种重要的衬底材料,未来的发展前景会更加广阔.