三维聚合物双(三丁基锡)戊二酸酯的合成及晶体结构研究

用三丁基氯化锡与戊二羧酸二钠以2:1摩尔比反应,合成了双（三丁基锡）戊二羧酸酯,并用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱及X-射线单晶衍射进行了表征和结构测定。X-射线单晶衍射法测定表明,化合物属单斜晶系,空间群为Cc,晶胞参数:a=13.984（3）,b=16.164（3）,c=16.894（3）A,β=107.457（3）°,V=3642.9（11）A3,Z=4,C29H60O4Sn2,Dc=1.251g/cm3,μ=1.394 mm-1,R=0.0500,wR=0.0874,F（000）=1416。晶体结构中存在2种化学环境不同的三角双锥构型的锡原子,由于配体中2个羧基在不同方向的交联作用,使化合物呈现三维立体骨架结构,并且在骨架结构中存在沿a、b、c轴3个方向伸展的规则的大环直孔道。     

中空纤维催化膜反应器中环戊二烯的选择加氢反应

将聚乙烯吡咯烷酮（ＰＶＰ）负载钯催化剂（ＰＶＰ－Ｐｄ）镶嵌到三种醋酸纤维（ＣＡ）中空膜（ＣＡ－Ｉ，ＣＡ－Ⅱ，ＣＡ－Ⅲ）内制各中空纤维催化膜，并进一步制成催化膜反应器，在４０℃和０．１ＭＰａ的反应条件下，在催化膜反应器中进行了环戊二烯的选择加氢反应，考察了具有不同氢气渗透率的醋酸纤维丝组成的三种膜反应器对反应的转化率及选择性的影响，并在此基础上考察了各种反应参数对反应的影响，ＣＡ中空纤维催化膜对环戊     

取代邻苯二腈的合成

在室温条件下合成了一系列芳氧基邻苯二腈化合物,应用无素分析、1HNMR、IR确定了它们的结构,讨论了不同取代基对反应的影响.结果表明,酚的芳环上有推电子基时反应容易进行;酚的芳环上有拉电子基时反应慢或不反应.     

Mesoporous silica nanospheres with the ability of photo-driven releasing sandela 803 for the application to wallpaper

Mesoporous silica nanospheres loaded with sandela 803 (S803@MS-S) are prepared for application to wallpaper. The nano-fragrance has high encapsulation efficiency and property of photo-driven release.     

THE SEPARATION,PURIFICATION AND DECOLORIZATION OF NEW ANTIBIOTICS-MILUPEINAN USING ADSORPTION RESIN

1. INTRODUCTION Fig.1 The Chemical Structure of Milupeinan As a new type of antibiotics Milupeinan, not only possesses antibacterial activities against a wide range of Gram-positive and Gram-negative bacteria, but also higgh stability under th…     

A new C21-steroidal glycoside from Cynanchum stauntonii

A new C21-steroidal glycoside with two known compounds were isolated from the root of Cynanchum Stauntonii.Based on thespectral analysis,including MS,1H NMR,13C NMR,DEPT,1H-1H COSY,13C-1H COSY,HMQC and HMBC,their chemicalstructures were determinated as glaucogenin-C 3-O-a-L-cymaropyranosyl-(1→4)-b-D-digitoxopyranosyl-(1→4)-β-D-canaropyranoside(1),stigmasterol(2)and ursolic acid(3).     

新型氮杂2-β萘基苯并噁唑分子设计与光物理性质的研究

为了寻找新的有效光敏材料，设计了一系列新型氮杂2-β萘基苯并恶唑分子，用改进的PPP-SCF-CI方法，对设计分子的第一激发单线态，三线态，振子强度和跃迁矩等光物理性质进行了较为详细的研究，筛选出了一些新型的具有特殊光物理特性的分子，并预测了有可能产生新型氮杂2-β萘基苯并恶唑分子类光敏感功能材料的取代基部位。     

非平衡超导体在Tc附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。 关键词：