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81.
本文用角动量分波表象的能带论方法研究了杂化导带的一般性质。得出了电子态密度和分波含量的一般关系式。发现引用一个径向波函数φl的“相位函数”yl,可以方便地对球对称势场造成的相移和φl的对数微商作解析近似处理。在此基础上研究了电子-声子耦合中的系数η的性质。论证了η有一个“本征上限”,并估计了它的量级。讨论了影响η强弱的一般规律,与实验现象作了比较。指出提高导带角动量杂化程度,特别是提高d导带中的f分波含量,以至试图实现似f导带,可能是强化电子-声子耦合潜力较大的探索方向。 关键词:  相似文献   
82.
 液溴与聚-4-甲基-1-戊烯(PMP)的四氯化碳溶液反应,在光照条件下得到溴代PMP,通过红外与元素分析确证了其结构。并通过热重分析对其性能进行了初步的研究。研究发现,在光照条件下溴原子很容易与PMP中叔丁基上的氢原子发生取代反应,得到化学掺杂溴原子的聚合物。该聚合物在150℃以下比较稳定,在150℃以上就会失去HBr。采用此种方法,可得到掺杂均匀的低密度材料。  相似文献   
83.
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究   总被引:3,自引:3,他引:3       下载免费PDF全文
 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。  相似文献   
84.
神光-Ⅱ装置三倍频实验中靶场单元技术的改进   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 主要介绍为了满足神光-Ⅱ高功率激光装置三倍频光(351nm,3ω)的物理实验要求,靶场三倍频模拟光源和瞄准监视系统两个主要单元技术的改进,即三倍频模拟光源由基频光(1 053nm,3ω)通过腔外的KTP+BBO晶体倍频获得,再经八路分光系统和主激光耦合;瞄准监视系统由透射式光学系统改进为反射式光学系统,避免原系统存在较大的色差,提高瞄准精度。  相似文献   
85.
提出了一种利用遗传算法构造任意码长、码重、自相关限、互相关限光正交码(GA-OOC)的方法,设计了新的码字矩阵;分析了基于GA-OOC的光CDMA系统的误码率性能。仿真结果表明:该算法具有构造算法简单、易于编程实现的特点;与基于PC,EPC,QC和BIBD-OOC的光码分多址系统相比,GA-OOC的光码分多址系统具有更好的误码率性能。GA-OOC有望用于构造二维光地址码。  相似文献   
86.
亚硝基R盐离子对固相萃取光度法测定钴(Ⅱ)   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了用亚硝基R盐离子对固相萃取光度法测定钴,在pH 6.0的HOAc-NH4OAc缓冲介质中,溴化十六烷基三甲基铵(CTMAB)存在下,亚硝基R盐与钴反应生成3∶1稳定络合物,该络合物可用C18固相萃取小柱富集,富集倍数达100倍,小柱上富集的络合物用乙醇洗脱后用光度法测定,钴的质量浓度在0.05~5.0 mg.L-1内符合比耳定律。方法用于食品样和水样中钴的分析,结果与AAS法测得结果一致,RSD值(n=5)≤2.5%,回收率在97%~103%之间。  相似文献   
87.
高效液相色谱法测定蛹虫草中腺苷和虫草素   总被引:8,自引:0,他引:8  
在蛹虫草中腺苷和虫草素含量的反相高效液相色谱分析中,所用色谱柱为WatersNOVA-PAK C18(3.9 mm×300 mm,4μm),流动相为0.01 mol.L-1KH2PO4-K2HPO4缓冲溶液(pH 6.86)+1%(体积分数)四氢呋喃,流速为1.0 mL.min-1。紫外检测的波长为260 nm,峰面积与腺苷浓度和虫草素浓度之间的线性范围依次为1.27~50.5 mg.L-1和3.23~129.0 mg.L-1,其检出限依次为0.18 ng和0.25 ng。在腺苷及虫草素的浓度水平依次为5.05 mg.L-1和12.9 mg.L-1时测试方法的精密度,求算得RSD(n=7)值依次为0.094%和0.792%。用标准加入法试验方法的回收率,求得两者的平均回收率依次为103.2%和98.5%。  相似文献   
88.
石墨炉原子吸收光谱法测定食品级磷酸中铅   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过加入基体改进剂硝酸钯及采用氘灯作背景校正,直接用石墨炉原子吸收光谱法测定食品级磷酸中铅,回收率在94.0%~104.3%之间,RSD(n=6)≤3.90%,方法的检出限为0.15 pg,经与国家标准方法及电感耦合等离子发射光谱法测定结果对照,方法的准确度优于国家标准方法,检出限低于ICP-AES法.  相似文献   
89.
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...  相似文献   
90.
方势阱中束缚态粒子能级的数值方法和波函数的图示   总被引:1,自引:1,他引:0  
用数值方法求出了一维有限深不对称方势阱中束缚态粒子的能级和归一化波函数及其图示,所得结果在势阱深度趋于无穷大时与无限深势阱的结果一致.  相似文献   
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