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71.
We discuss the dynamics of Bose-Einstein condensates in a double-well potential subject to decoherenee (or particle loss). Starting from the full many-body dynamics described by the master equation, an effective Gross- Pitaevskii-like equation is derived in the mean-field approximation. By numerically solving the GP equation, we find that macroscopic quantum self-trapping disappears for strong decoherence, while generalized self-trapping occurs under weak decoherence. The fixed points have been calculated, and we find that an abrupt change from elliptic to an attractor and a repeller occurs, reflecting the metastable behavior of the system around these points. 相似文献
72.
辐射复合过程在超组态碰撞辐射(SCROLL)模型中真实模拟非局域热动力学平衡(non-LTE)高Z材料Au激光等离子体M带谱5f-3d跃迁中各种复杂离子的电离态特性是一个主要过程.基于准相对论多组态Hartree-Fock理论和扭曲波近似,采用组态平均的方法,从头计算了金M带类铁金离子-类锗金离子的辐射复合速率系数,计算过程中包含了大量的单激发和双激发态,结果表明高Z元素由于自电离能级的广泛分布和复杂的级联效应,致使高Z元素的辐射复合系数不同于低Z元素的,其计算结果可用来模拟Au的激光等离子体M带5f-3d跃迁的平均电离度和电荷态分布及能级布居数. 相似文献
73.
74.
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al2O3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(Lg)为2 μm,栅宽(Wg)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(Lgs)之间的距离为5 μm,栅极和漏极(Lgd)之间的距离为10 μm。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为-20~+12 V。在栅压Vgs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm (Wg=0.9 mm), 特征导通电阻为4 mΩ·cm2。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×108。当Vds=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm (Wg=0.9 mm,Vgs=+10 V)。在Vgs=0 V时,栅漏间距为10 μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。 相似文献
75.
近红外光谱法快速测定淫羊藿中淫羊藿苷和朝藿定C 总被引:1,自引:0,他引:1
基于近红外光谱法对淫羊藿中有效成分淫羊藿苷和朝藿定C的含量进行快速同时定量分析,采用偏最小二乘法(PLS)建立近红外光谱信息与预测组分含量间的数学校正模型。结果表明通过标准正态变量转换(SNV)与一阶导数对光谱进行预处理,所建立的淫羊藿苷和朝藿定C的校正模型效果最佳。淫羊藿苷与朝藿定C校正集均方差(RM SEC)分别为0.217、0.718;相关系数分别为0.9825、0.9863;预测均方差(RM SEP)分别为0.155,0.297。该方法简单、准确,更适合于淫羊藿药材中主要成分的快速分析。 相似文献
76.
利用辅助方程与函数变换相结合的方法,构造了Degasperis-Procesi(D-P)方程的无穷序列类孤子新解.首先,通过两种函数变换,把D-P方程化为常微分方程组.然后,利用常微分方程组的首次积分,把D-P方程的求解问题化为几种常微分方程的求解问题.最后,利用几种常微分方程的Bcklund变换等相关结论,构造了D-P方程的无穷序列类孤子新解.这里包括由Riemannθ函数、Jacobi椭圆函数、双曲函数、三角函数和有理函数组成的无穷序列光滑孤立子解、尖峰孤立子解和紧孤立子解. 相似文献
77.
引进了美国GAMMA公司的高精度数字式可调标准光源RS-5B,并对其性能参数进行了测试。结果表明,该光源光强空间分布非常稳定,在光强大于0.001μW•cm-2时,复位性优于1%;在光强大于0.01μW•cm-2时,稳定性优于0.5%。其输出光强与标称值呈线性分布关系。这些优良的参数和特性满足聚变物理标定研究中对标定源的需求,为物理实验数据分析和计算模拟提供了条件。 相似文献
78.
复杂背景下低信噪比弱小目标的检测是红外预警系统中的重点和难点。为解决红外图像中杂波干扰多、目标信噪比低等问题,提出一种非线性空间滤波的目标检测方法。该算法在传统线性空间滤波算法的基础上,通过对预测点周围4个象限的背景灰度值进行计算,并动态地调节阈值,以达到突出小目标的目的。试验结果表明:当背景包含较多复杂因素时,采用非线性空间滤波的检测方法可有效地抑制杂波,实现弱小目标的提取,与线性滤波算法结果相比较,虚警数降低了3/4,且易于工程实现。 相似文献
79.
针对保参数方向构造过渡曲线曲面方法的不足, 构造了任意参数曲线曲面间既保持参数方向又具有形状可调性的C 1与C 2连续过渡曲线曲面。首先,基于2类带1个自由参数的调配函数,分别构造满足C 1与C 2连续的过渡曲线,并讨论基于能量优化模型的最佳过渡曲线构造问题;然后,将所提出的方法推广到过渡曲面的构造。 实例结果表明,2被过渡曲线曲面为任意参数曲线曲面时,利用该方法构造的过渡曲线曲面不仅与2被过渡曲线曲面的参数方向保持一致,而且可利用所带的自由参数对其形状进行调整。通过能量优化模型确定自由参数的取值,可获得尽可能光顺的过渡曲线曲面。 所提方法弥补了保参数方向构造过渡曲线曲面方法的不足,是一种实用的过渡曲线曲面构造方法。 相似文献
80.
针对专用集成电路(ASIC)设计中功能验证的效率和完备性问题,以验证方法学手册(VMM)为基础搭建了串行高级技术附件(SATA)控制器分层式验证平台.验证组件的实现大量重用验证知识产权核(VIP),在采用随机激励的基础上以覆盖率统计驱动验证的过程,根据SATA控制器的功能设计记分牌进行结果的自动化比对.实验结果表明,这些方法提高了功能验证的效率,保证了验证的完备性,最终功能覆盖率达到98.25%. 相似文献